一种新型抗多节点翻转加固锁存器

在纳米锁存器中,由电荷共享效应导致的多节点翻转(MNU)正急剧增加,成为主要的可靠性问题之一.尽管现有的辐射加固锁存器能够对MNU进行较好的容错,但是这些加固锁存器只依赖于传统的冗余技术进行加固,需要非常大的硬件开销.基于辐射翻转机制(瞬态脉冲翻转极性)设计了一种新型抗MNU锁存器.该锁存器可有效减少需保护的节点数(敏感节点数)和晶体管数,因此可减少电路的硬件开销.由于至少存在2 个节点可以保存正确的值,因此任何单节点翻转(SNU)和MNU都可以被恢复容错.基于TSMC 65 nm CMOS 工艺进行仿真,结果显示,设计的加固锁存器的电路面积、传播延迟和动态功耗分别为19.44 μm2,16.96 ps和0.91 μW.与现有的辐射加固锁存器相比,设计的锁存器具有较小的硬件开销功耗-延迟-面积乘积(PDAP)值,仅为300.02.