基于TSV转接板的3D SRAM单粒子多位翻转效应

为了研究硅通孔(TSV)转接板及重离子种类和能量对3D静态随机存储器(SRAM)单粒子多位翻转(MBU)效应的影响,建立了基于TSV转接板的2层堆叠3D 封装SRAM模型,并选取6组相同线性能量传递(LET)值、不同能量的离子(11B 与4He、28 Si 与19 F、58 Ni 与27Si、86 Kr与40Ca、107Ag与74Ge、181Ta与132Xe)进行蒙特卡洛仿真.结果表明,对于2层堆叠的TSV 3D封装SRAM,低能离子入射时,在Si路径下,下堆叠层SRAM 多位翻转率比上堆叠层高,在TSV(Cu)路径下,下堆叠层SRAM 多位翻转率比Si路径下更大;具有相同LET值的高能离子产生的影响较小.相比2D SRAM,在空间辐射环境中使用基于TSV转接板技术的3D 封装SRAM 时,需要进行更严格的评估.