衬底温度对射频溅射CeO2薄膜微观结构的影响

Journal of the Chinese Society of Rare Earths(2021)

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摘要
为了通过射频溅射金属Ce靶与CeO2靶能得到相同结构、相同性能的CeO2薄膜,采用射频反应磁控溅射技术在玻璃衬底上沉积CeO2薄膜,通过调控基体温度,分析其对薄膜成分、结构、形貌的影响规律,分别采用X射线衍射仪、场发射扫描电子显微镜、原子力显微镜对薄膜结构性能进行表征.结果表明:在沉积温度为600℃下,溅射金属Ce靶制备的CeO2薄膜取向度最高,表面光滑平整,表面平均粗糙度只有1.03 nm,通过改变沉积温度能够很好地控制薄膜表面颗粒形貌.
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