4H-SiC结势垒肖特基二极管电子辐照效应测试分析

张庆豪,齐春华,肖一平,李何依,王天琦,刘超铭,王祖军,霍明学, 冯绍辉,马国亮,张延清

Modern Applie Physics（2021）

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摘要

采用1 MeV电子辐照,开展了 4H-SiC结势垒肖特基二极管(JBS)空间电子辐照效应测试分析.测试结果表明,随着辐照电子注量的增加,JBS的正向特性逐渐退化,串联电阻逐渐增加;电子注量为5×1014 cm-2时,反向漏电流在高反向电压下有所增加;电子注量为5×1015 cm-2时,反向漏电流明显降低;自由载流子浓度随辐照注量的增加而降低,载流子去除率约为0.37 cm-1.通过对辐照前后的SiC外延片材料级辐照缺陷分析结果表明,电子辐照会在4H-SiC中引入体缺陷,如碳间隙原子、碳空位及其他复合缺陷;在较小注量下,辐照缺陷浓度随着辐照注量的增加而增加;当辐照注量超过5×1014 cm-2时,出现了缺陷信号的淬灭现象.

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