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Electrical Properties of Solution-Processed Nanolaminates of ZrO2 and Al2O3 as Gate Insulator Materials for Thin-Film Transistors

Hyunwoo Kim,Sangsub Kim,Hyunki Kim,Jaeseob Lee,Sangsoo Kim,Byoungdeog Choi

Journal of Nanoscience and Nanotechnology（2017）

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