高应变In x Ga 1-x As薄膜的结晶质量及光学特性

通过分子束外延（MBE）生长技术,在GaAs（100）基片上生长出单晶In x Ga 1-x As薄膜,利用反射高能电子衍射仪（RHEED）实时监控薄膜生长情况。对In x Ga 1-x As薄膜进行了X射线衍射（XRD）测试,结果显示该薄膜为高质量薄膜,且In组分（原子数分数）为0.51。光致发光（PL）光谱测试结果表明,室温下发光峰位约为1.55μm;由于In x Ga 1-x As薄膜中存在压应变,光谱峰位出现蓝移。Raman光谱显示GaAs-like横向光学声子（TO）模式的峰出现了明显展宽,验证了In x Ga 1-x As薄膜中存在应变。