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GeH4とGe2H6の2種の異なる前駆体を用いたSi(100)基板上のGeの低温エピタキシー

Kil Yeon‐Ho,Yuk Sim‐Hoon, Kim Joung Hee, Kim Taek Sung, Kim Yong Tae,Choi Chel-Jong, Shim Kyu-Hwan

Solid-state Electronics（2016）

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