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オゾンのポスト酸化によって作製されたHfO2/AlOx/GeOxゲートスタックを有するGe pMOSFETのアグレッシブEOTスケーリング

Zhang Rui,Tang Xiaoyu,Yu Xiao,Li Junkang,Zhao Yi

IEEE Electron Device Letters（2016）

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