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アモルファスカーボン抵抗ランダムアクセスメモリに及ぼすアンモニアの影響【Powered by NICT】

Chen Wen-Chung,Tsai Tsung-Ming,Chang Kuan-Chang, Chen Hsin-Lu, Shih Chih-Cheng, Yang Chih-Cheng,Lin Jiun-Chiu, Lin Yu-Shuo,Su Yu-Ting, Chen Po-Hsun

IEEE Electron Device Letters（2017）

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