不同抛光方式下InSb晶片表面质量的对比研究
Infrared Technology（2022）
摘要
本文分别以加双氧水的化学机械抛光和未加双氧水的纯机械抛光方式对InSb晶片进行表面处理,通过分析氧化膜的生成,以及对InSb晶片的表面划痕、表面粗糙度和表面损伤的表征,开展了两种不同抛光方式下InSb晶片的表面质量对比研究.结果表明,在化学机械抛光过程中,InSb晶片表面有氧化层生成,该氧化层能保护材料表面免受损伤;并且发现加入双氧水作为抛光液的化学机械抛光方法能够获得较好表面质量的InSb晶片,其表面几乎无划痕,粗糙度降至0.606 nm,平整度约6.916 nm,且表面损伤明显降低.
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