大面积MoS2薄膜制备及其光电性能研究

二维(2D)半导体薄膜材料作为当代光电子器件领域的主力军,大面积薄膜材料的制备则成为亟待解决的热点问题.文章通过一种硫(S)化预生长的氧化钼(MoO3)的方法实现大面积二硫化钼(MoS2)薄膜材料的制备.区别于传统化学气相沉积(CVD)方法生长材料随机成核的特性,文章设计利用提前在衬底上预生长MoO3作为Mo源,以固定MoS2薄膜的成核位点.研究结果表明,该方法可实现双层的大面积MoS2薄膜.进一步,将制备的双层大面积MoS2薄膜转移到叉指电极上进行光电性能研究,在532 nm的激光照射下,实现103.71 mA/W的响应度及88μs的快响应速度.预计文章的实验设计可推广到其他大面积二维薄膜材料的制备中.