基于特征发射光谱的SF6电晕放电检测

局部放电检测是气体绝缘电气设备状态诊断与评估的重要方法.本文采用针-板电极模拟电晕放电缺陷,用光学法检测SF6气体放电的发射光谱,确定了SF6电晕放电的特征发射光谱,主要集中309 nm附近及420～510 nm波段,前者由微水中电离的OH从激发态A2Σ(ν′=0)发光淬灭到基态X2Π(ν″=0)形成,后一谱段是六氟化硫(SF6)及硫的低氟化物(SF6-x)组成的分子光谱.基于前期检测结果对光学透镜和滤光片进行进一步选型,初步采用A、B、C三种滤光片,搭建了一种基于发射光谱原理的窄带滤光法光电倍增管检测系统,并利用该系统对电晕放电产生的光信号进行检测.实验结果与基于脉冲电流法的多通道数字式局部放电综合分析仪测量结果对比,与脉冲电流法检测结果相当.光学检测法是一种原位、实时、抗电磁干扰强的检测方法,本方法能为局部放电的实时监测提供可供参考的方案.