InAs/GaSb超晶格长波红外探测器暗电流特性分析

利用二极管电流解析模型分析了 InAs/GaSb超晶格长波红外探测器暗电流的主导机制.首先,通过变面积二极管Ⅰ-V测试证实77 K下采用阳极硫化加SiO2复合钝化的InAs/GaSb超晶格长波红探测器的暗电流主要来自于体电流,而非侧壁漏电流;然后,利用扩散电流、产生复合电流、直接隧穿电流和陷阱辅助隧穿电流模型对InAs/GaSb超晶格长波红外探测器的暗电流进行拟合分析.结果表明:在小的反向偏压下(≤60 mV),器件暗电流主要由产生复合电流主导,而在高偏压下(＞60mV),器件暗电流则主要由缺陷陷阱辅助隧穿电流主导.并分析了吸收层掺杂浓度对这两种电流的影响,证实5×1015～1×1016 cm-3是优化的掺杂浓度.