GaSe纳米带的可控生长及其光电探测器的光电特性

二维层状半导体材料GaSe由于具有良好的光电特性,在光电子器件领域备受关注.以GaSe/Ga2Se3高纯粉末混合物为前驱体,通过化学气相沉积(CVD)法实现了结晶良好的六方晶系GaSe纳米带的均匀、可控生长.分析表明,反应温度和反应时间对纯相GaSe纳米带的生长起着重要作用.900℃下反应20 min获得了大量、均匀的纯相GaSe纳米带,宽度为20～40 μm,长度达数百微米.产物GaSe纳米带在可见光区域具有良好的光学吸收,光学带隙约2.12 eV.并且,基于单根GaSe纳米带制备了光电探测器,GaSe纳米带光电探测器在可见光照射下具有良好的光电响应,在光照强度为7.32 μW·cm-2的530 nm波长光照下,其响应度和增益分别高达835.2 A·W-1和1 954,有望应用于高性能光电探测领域.