利用W形空穴阻挡层降低AlGaN基深紫外激光二极管的空穴泄露

JIA Li-Ya, ZHANG Peng-Fei,ZHANG Ao-Xiang,WANG Fang,LIU Jun-Jie,LIU Yu-Huai

Journal of Atomic and Molecular Physics（2023）

引用 0|浏览7

暂无评分

摘要

本文设计了V形和W形的空穴阻挡层(HBL)结构,改善空穴在AlGaN基深紫外激光二极管(DUV-LD)n型区的泄露问题.使用Crosslight软件,将参考型矩形、V形和W形三种空穴阻挡层结构进行仿真研究,分别比较了三种不同结构的DUV-LD能带、n区空穴浓度、辐射复合率、电光转换效率、有源区载流子浓度等特性,结果表明,具有W形空穴阻挡层的DUV-LD拥有更高的空穴有效势垒高度、更高的辐射复合率、更低的空穴泄露以及更好的斜率效率,可以有效降低深紫外激光二极管在n型区的空穴泄露,提升其光学和电学性能.

AI 理解论文

溯源树

样例

生成溯源树，研究论文发展脉络

Chat Paper

正在生成论文摘要