集成电路中的Ta(N)超薄金属扩散阻挡层研究
Applications of IC（2023）
摘要
阐述集成电路制造中的布线RC延迟时间、动态性功能损耗和串扰噪音是决定元器件性能的关键因素,Cu/low-x的布线构造可以降低此危害.因为Cu在低x介质中具有较高的扩散率,因而要用扩散阻挡层把它隔开.探讨选择不同加工工艺,制取Ta(n)纤薄金属材料扩散阻挡层,AL基介质扩散阻挡层,设立扩散阻挡层原材料的电子光学特性实体模型.
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关键词
integrated circuit manufacturing,ultra-thin metal,diffusion barrier layer
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