SiC微粒辅助掩膜电解加工金属微孔阵列结构的研究

DU Liqun,ZHENG Kunming,YU Mingxin,CHENG Haohao,WANG Shuxuan

Electroplating & Finishing（2023）

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摘要

针对掩膜电解加工(TMECM)金属微孔阵列结构存在定域性差、微孔孔径的加工精度及刻蚀深度难以满足要求的问题,提出了SiC微粒辅助掩膜电解加工(PA-TMECM)的方法.研究了SiC微粒直径、质量浓度及电解液流量对304不锈钢表面微孔阵列结构加工效果的影响,探讨了微粒辅助掩膜电解加工的作用机制.实验结果表明:当SiC微粒质量浓度为6 g/L、直径为40μm、电解液流量为3000 mL/min时,加工定域性最佳,蚀刻因子为3.52.在微粒辅助掩膜电解加工过程中,微粒通过持续、高频的冲击作用有效去除了阳极表面的电解产物,增大了微孔刻蚀深度,限制了侧向刻蚀,最终提高了掩膜电解加工的定域性.

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关键词

austenitic stainless steel,through-mask electrochemical machining,silicon carbide particle,microporous array structure,localization,etching factor

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