阻变存储单元中元素的三维分布

近年来,人工智能、大数据、物联网等领域的快速发展,使新原理信息存储器件的设计、制造成为半导体等产业的重点发展方向.阻变存储器因具有优异的存储特性、良好的尺寸化能力、易于高密度集成等显著优点,被视为下一代非挥发性存储器的理想解决方案.但是由于发生电阻转变的区域难以观测,阻变器件的转变机制一直存在争议.该文利用飞行时间-二次离子质谱对阻变存储单元中元素的三维分布进行探测,有效地证明了电阻转变机制与金属电极原子的扩散无关,而是由氧化物薄膜本身的电学特性所决定的.该文的工作对阻变存储器件的机理探究、设计制备和性能改进具有十分积极的意义.