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Implanted buried strained germanium rich layers in silicon: ab-initio investigations and phonons properties

N. Fourches,Géraldine Hallais,Charles Renard, E Imbernon, François Jomard, F. Olivié, A. V. Postnikov

HAL (Le Centre pour la Communication Scientifique Directe)（2021）

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关键词
strained germanium,silicon,ab-initio
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