ЭВОЛЮЦИЯ КРИСТАЛЛИЧЕСКОЙ СТРУКТУРЫ И ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ СВОЙСТВ МОНОКРИСТАЛЛОВ (Pb0.86Sr0.14)5Ge3O11 ПРИ ОБЛУЧЕНИИ ВЫСОКО-ЭНЕРГЕТИЧЕСКИМИ ЭЛЕКТРОНАМИ

Путем медленного охлаждения расплавов получены монокристаллы (Pb0.86Sr0.14)5Ge3O11. Изучено влияние облучения высокоэнергетическими электронами флюенсами до 6.2×1018э/cм2 на структурные и диэлектрические свойства этих кристаллов. Изучена зависимость параметров кристаллической структуры от величины флюенсов, установлен структурный механизм избирательного замещения Pb на Sr. Найдено, что позиции свинца с неподеленной парой электронов остаются свободными от замещения катионами стронция. Вплоть до флюэнса 6.2×1018э/cм2 структура (Pb0.86Sr0.14)5Ge3O11 сохраняет совершенство. Показано, что облучение данными флюенсами сохраняет параэлектрическую структуру при 293К (пр. гр. P) и приводит лишь к незначительным изменениям атомных смещений. Характер температурных зависимостей диэлектрических проницаемости и потерь (в интервалах 5-300 K и 1-1000 кГц) указывает, что облучение сопровождается как смещением ТС от 158 K до 145 K, так и усилением размытия сегнетоэлектрического фазового перехода.