Effekt rezistivnogo pereklyucheniya v memristorakh TaN/HfOx/Ni s filamentom, sformirovannym pod deystviem lokal'noy elektronno-luchevoy kristallizatsii
Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики(2023)
AI 理解论文
溯源树
样例
![](https://originalfileserver.aminer.cn/sys/aminer/pubs/mrt_preview.jpeg)
生成溯源树,研究论文发展脉络
Chat Paper
正在生成论文摘要