ИССЛЕДОВАНИЕ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК МЕМРИСТОРНЫХ СТРУКТУР НА ОСНОВЕ НИТРИДА КРЕМНИЯ, "электронная Техника. Серия 3. Микроэлектроника"

В статье проведено исследование времени хранения заряда в мемристоре на основе SiN. Определены профиль распределения ловушек в запрещенной зоне SiN, их энергия и концентрация.