Представлены результаты исследования структурных, вольт-амперных и во-льт¬-фарадных характеристик тонких золь-гель пленок ZnO, TiO2 и SiO2 на поверхности черного кремния (b-Si). Показано, что пленки ZnO и TiO2 имеют стабильные стру¬кт¬у¬р¬ные свойства и не ухудшают отражение b-Si в широком диапазоне солнечного изл¬у¬че¬ния. Заметной фоточувствительностью обладают только образцы с пленкой TiO2. Проанализированы функциональные возможности применения структур b-Si/¬ок¬си¬д¬на¬я пленка в полупроводниковых приборах различного назначения. В качестве па¬с¬си¬вирующих и защитных покрытий в солнечных элементах на основе b-Si пре¬д¬по¬ч¬ти¬тел¬ьно использовать золь-гель пленки ZnO и TiO2.