Фрязинский филиал Института радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова РАН
被引用0|浏览11
摘要
Сегнетоэлектрические пленки состава Ba0.8Sr0.2TiO3 (BST) синтезированы на платинированные кремниевые подложки методом ВЧ-распыления. На выращенные пленки методом электронно-лучевого распыления сформированы верхние электроды из никеля, алюминия, меди и хрома. Представлены результаты исследований электрофизических свойств полученных гетероструктур металл--диэлектрик--металл (МДМ) (Ме-BST-Pt-Si). Ключевые слова: сегнетоэлектрические пленки BST, структуры металл--диэлектрик--металл (МДМ), микроструктура, электрофизические свойства.