Электронная техника Серия 3 Микроэлектроника(2023)
АО «НИИМЭ» МФТИ (НИУ)
被引用0|浏览14
摘要
Исследован субтрактивный процесс создания системы металлизации интегральных схем. В качестве модельных использованы структуры с алюминиевыми и медными проводниками, имеющие различный шаг. Заполнение зазоров между проводниками проводилось методом химического осаждения из раствора. Сформированные органосиликатные слои обеспечивали полную или частичную планаризацию рельефа. Электрические измерения свидетельствовали о снижении ёмкости и токов утечек в структурах с нанопористыми диэлектрическими слоями.