ИССЛЕДОВАНИЕ ТЕХНОЛОГИИ И РАЗРАБОТКА ОБОРУДОВАНИЯ ДЛЯ НИЗКОТЕМПЕРАТУРНОГО ПЛАЗМОХИМИЧЕСКОГО ОСАЖДЕНИЯ ДИЭЛЕКТРИЧЕСКИХ СЛОЕВ С ИСТОЧНИКОМ ВЫСОКОПЛОТНОЙ ПЛАЗМЫ ICPCVD НА ПЛАСТИНЫ ДИАМЕТРОМ ДО 300 ММ, "электронная Техника. Серия 3. Микроэлектроника"

Свойства и качество диэлектрических пленок, получаемых методом ICPCVD, широко известны. Однако решение проблемы равномерности при переходе на пластины диаметром до 300 мм является непростой задачей. Целью данной работы была разработка реактора с уникальной системой равномерной подачи газа для низкотемпературного плазмохимического осаждения диэлектрических слоев на пластины диаметром до 300 мм.