Представлено современное промышленное вакуумно-плазменное оборудование. Установки имеют возможность встраивания в чистую комнату и снабжены шлюзовой камерой с манипулятором для поштучной загрузки и выгрузки пластин диаметром 150 и 200 мм, в том числе из кассеты в кассету. The paper describes modern industrial vacuum-plasma equipment. All systems have a manipulator for single loading and unloading of wafers of diameter from 150 to 200 mm, including cassette in the loadlock, and can be located in the “clean room”.
Свойства и качество диэлектрических пленок, получаемых методом ICPCVD, широко известны. Однако решение проблемы равномерности при переходе на пластины диаметром до 300 мм является непростой задачей. Целью данной работы была разработка реактора с уникальной системой равномерной подачи газа для низкотемпературного плазмохимического осаждения диэлектрических слоев на пластины диаметром до 300 мм.
Представлены результаты предварительных испытаний опытного образца вакуумной кластерной установки, а также процессов атомно-слоевого осаждения, травления гладких щелей, глубоких отверстий в кремниевых пластинах и удаления полимеров из этих отверстий.
При изготовлении трехмерных структур с применением технологии формирования глубоких отверстий в кремнии, а также при изготовлении микроэлектромеханических систем широкое распространение получил процесс глубокого анизотропного травления кремния с применением попеременных процессов травления и пассивации. Суть процесса заключается в чередовании стадий реактивно-ионного травления поверхности кремния (как правило, в SF6) и пассивации поверхности (как правило, с применением C4F8). При этом на стадии травления пассивирующий слой удаляется со дна канавок быстрее, чем со стенок, что в итоге позволяет получить анизотропность процесса травления. К преимуществам процесса можно отнести: проведение процесса при комнатных температурах, высокую селективность к фоторезисту (около 80:1 и более), получение структур с аспектным отношением до 30:1, скорость травления до 20 мкм/мин, а также контролируемый профиль травления. Основным недостатком процесса является шероховатость стенок в связи с цикличностью процесса. Цель данной работы – создание реактора для глубокого плазмохимического травления кремния на пластинах диаметром до 200 мм, аналогичного по своим характеристикам импортному, и разработка технологии глубокого травления кремния для ее применения в изготовлении трехмерных TSV-структур.
