황화과산화물, 과산화수소, 과황산염 및 과질산염으로 구성된 그룹에서 선택된 적어도 하나를 포함하는 식각 개시제 1 내지 20중량%;질산을 포함하는 무기산 1 내지 15중량%;유기산 10 내지 20중량; 및여분의 물을 포함하며,은(Ag)에 대한 부식 전위가 -0.8V 내지 -0.2V인, 은 함유막 식각액 조성물.
삭제
청구항 1에 있어서, 상기 식각 개시제는 옥손(oxone)을 포함하는, 은 함유막 식각액 조성물.
삭제
청구항 1에 있어서, 상기 유기산은 제1 유기산 및 상기 제1 유기산보다 약산인 제2 유기산을 포함하는, 은 함유막 식각액 조성물.
청구항 5에 있어서, 상기 제1 유기산은 초산을 포함하며, 상기 제2 유기산은 이미노디아세트산(iminodiacetic acid: IDA), 에틸렌다이아민테트라아세트산(ethylenediaminetetraacetic acid: EDTA), 글리신(glycine), 살리실산(salicylic acid), 시트르산(citric acid), 포름산(formic acid), 옥살산(oxalic acid), 말론산(malonic acid), 숙신산(succinic acid), 부탄산(butyric acid), 글루콘산(gluconic acid), 글리콜산(glycolic acid) 및 펜탄산(pentanic acid)으로 이루어진 그룹에서 선택된 적어도 하나를 포함하는, 은 함유막 식각액 조성물.
청구항 1에 있어서, 금속염을 더 포함하는, 은 함유막 식각액 조성물.
청구항 7에 있어서, 상기 금속염은 질산 철(ferric nitrate), 질산 나트륨(sodium nitrate) 및 질산칼륨(potassium nitrate)으로 이루어진 그룹에서 선택된 적어도 하나를 포함하는, 은 함유막 식각액 조성물.
삭제
청구항 1에 있어서, 금속염 0.1 내지 5중량%를 더 포함하는, 은 함유막 식각액 조성물.
청구항 1에 있어서, 인산 또는 인산 계열 화합물을 포함하지 않는 은 함유막 식각액 조성물.
기판 상에 금속막을 형성하는 단계; 및 상기 금속막을 청구항 1, 3, 5 내지 8, 10 및 11 중 어느 한 항의 은 함유막 식각액 조성물을 사용하여 식각하는 단계를 포함하는, 도전 패턴 형성 방법.
청구항 12에 있어서, 상기 금속막을 형성하는 단계는 은 함유막을 형성하는 단계를 포함하는, 도전 패턴 형성 방법
청구항 13에 있어서, 상기 금속막을 형성하는 단계는 투명 도전성 산화막을 형성하는 단계를 더 포함하는, 도전 패턴 형성 방법.
청구항 14에 있어서, 상기 투명 도전성 산화막은 상기 은 함유막을 사이에 두고 형성된 제1 투명 도전성 산화막 및 제2 투명 도전성 산화막을 포함하는, 도전 패턴 형성 방법.
청구항 14에 있어서, 상기 투명 도전성 산화막은 인듐 주석 산화물(ITO), 인듐 아연 산화물(IZO), 인듐 주석아연 산화물(ITZO), 갈륨 아연 산화물(GZO) 및 인듐 갈륨아연 산화물(IGZO)로 구성된 그룹에서 선택된 적어도 하나를 포함하는, 도전 패턴 형성 방법.
청구항 12에 있어서, 상기 기판 상에 박막 트랜지스터를 형성하는 단계;상기 박막 트랜지스터와 전기적으로 연결되는 화소 전극을 형성하는 단계; 및상기 화소 전극 상에 표시층을 형성하는 단계를 더 포함하며,상기 금속막은 상기 표시층 상에 형성되는, 도전 패턴 형성 방법.
청구항 17에 있어서, 상기 도전 패턴은 화상 표시 장치의 공통 전극, 반사 전극 또는 배선으로 제공되는, 도전 패턴 형성 방법.
