The relief of thin Mo epitaxial films grown on the R-plane of sapphire has been studied by scanning tunneling microscopy and atomic force microscopy. The region of parameters of the model of the evolution of the surface relief of the Kardar-Parisi-Zhang films is found, in which it corresponds to the obtained experimental results.

The structural and magnetic properties (field dependences of the magnetization in magnetic fields of up to 6 kOe) of thin-film Co 2 FeAl, and Co 2 NiSi Heusler alloys grown by pulsed laser deposition on glass and a single-crystalline Al 2 O 3 R-plane substrate at different growth temperatures (20, 280 and 420 °C) were studied. It was found that the stoichiometric composition of the films depends on the substrate temperature during growth and repeats the composition of the target for films grown at low temperatures. The films deposited on a single crystalline Al 2 O 3 substrate have uniaxial magnetic anisotropy in the plane.

The surface and electronic transport properties of epitaxial thin molybdenum films were studied. The experimental results were compared with the known quantum models of the effect of the surface relief of the films on their resistance.

Paramagnetic layered semiconductor NbS 2 doped with some transition metals can transform into ferromagnetic material. That is why such materials are promising candidates for spintronic devices. It is found that only at certain concentrations of a doping metal T crystallographic ordering is possible, which is essential for magnetic ordering of ternary compounds TNbS 2 . In particular, CrNb3S6 crystals are studied, which form almost completely ordered superstructure with intercalated Cr between NbS 2 layers. The main difficulty in crystal growth is reaching stoichiometry of the compound. This problem is solved in the developed method of two-staged gas transport chemical reaction. This new approach provides growth of CrNb 3 S 6 single crystals of several millimeters in diameter and 0.3–0.5 mm thickness. X-ray phase analysis (XRD) of powders is performed to identify all phases involved in synthesis and growth of the crystals. High frequency absorption in external periodic magnetic field as a function of temperature and intensity of magnetic field is used to estimate the temperature of ferromagnetic transition in CrNb 3 S 6 single crystals. The Curie temperature is estimated as 115 K. Growth of CrNb 3 S 6 crystals from vapor phase is studied in detail and full analysis of phase transitions during growth is given. It has been shown that using of high frequency absorption in the crystal provides reliable estimation of the point of ferromagnetic transition in this semiconductor. The authors are grateful to the Physical Science Department of Russian Academy of Sciences for financial support of the studies in the frameworks of the program “Physics of new materials and structures” (project no. 00-12-10).

Парамагнитный слоистый полупроводник NbS2, легированный некоторыми переходными металлами, может превращаться в ферромагнитный материал. Поэтому такие материалы являются перспективными для ипользования в спинтронике. Установлено, что только при определенных концентрациях легирующего металла T оказывается возможным кристаллографическое упорядочение, которое является существенным для магнитного упорядочения тройных соединений TNbS2. В частности, изучены кристаллы CrNb3S6, которые формировали практически полностью упорядоченную сверхструктуру с интеркалированными атомами Cr между слоями NbS2. Основной трудностью при выращивании этих кристаллов является достижение стехиометрии соединения. Эта проблема решена путем использования разработанного метода двухстадийной химической газовой транспортной реакции. Этот новый подход обеспечивает рост монокристаллов CrNb3S6 размерoм несколько миллиметров в диаметре и толщиной 0.3-0.5 mm. Проведен рентгенофазовый анализ порошков для идентификации всех фаз, участвующих в синтезе и росте кристаллов. Высокочастотное поглощение во внешнем периодическом магнитном поле как функция температуры и напряженности магнитного поля использовано для оценки температуры ферромагнитного перехода монокристаллов CrNb3S6. Значение температуры Кюри оценено как 115 K. Подробно исследован рост монокристаллов CrNb3S6 из паровой фазы и дан полный анализ фазовых переходов в процессе роста. Показано, что применение высокочастотного поглощения в кристалле позволяет надежно определять точку ферромагнитного превращения в этом полупроводнике. Авторы выражают благодарность Отделению физических наук РАН за финансовую поддержку исследований в рамках программы "Физика новых материалов и структур" (проект N 00-12-10). DOI: 10.21883/FTT.2017.07.44588.464