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论文（27）

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1熱処理によるAl/Ge(111)上の極薄Ge層形成

征登小林,晃生大田,昌志黒澤,昌晃洗平,紀之田岡,弥央池田,克典牧原,誠一宮﨑

2019IEICE technical report Speech

引用

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2ArまたはHe希釈リモート酸素プラズマCVDによって形成したSiO2/GaN界面の構造・特性比較

スァングェン,紀之田岡,晃生大田, 永山田, 言緒高橋,弥央池田,克典牧原,三聡清水, 誠一宮崎

2018

引用

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3X線光電子分光法によるY₂O₃/SiO₂界面におけるシリケート化反応およびダイポールの評価 (シリコン材料・デバイス)

信幸藤村,晃生大田,弥央池田,克典牧原,誠一宮﨑

2018IEICE technical report. Speech（2018）

引用

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4エピタキシャルAg(111)上の極薄IV族結晶形成

公一伊藤,晃生大田,昌志黒澤,昌晃洗平,弥央池田,克典牧原, 誠一宮崎

2017

引用

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5ドライおよびN2O酸化により形成したSiO2/4H‐SiCの電子占有欠陥評価

渡辺浩成,大田晃生,池田弥央,牧原克典, 森大輔, 寺尾豊, 宮崎誠一

2017

引用

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6XPSによるHigh-k/SiO₂界面の化学構造およびダイポールの評価 (シリコン材料・デバイス)

信幸藤村,晃生大田,弥央池田,克典牧原, 誠一宮崎

2017IEICE technical report. Speech

引用

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7リモート酸素プラズマ支援CVDによる低温SiO₂薄膜形成 (シリコン材料・デバイス)

グェンスァンチュン,信幸藤村,大智竹内,晃生大田,克典牧原,弥央池田, 誠一宮崎

2016IEICE technical report. Speech（2016）

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8マイクロ熱プラズマジェット照射によるポーラスシリコン層上Si膜のエピタキシャル成長(薄膜(Si,化合物,有機,フレキシブル)機能デバイス・材料・評価技術及び一般)

将平林,良平松原,悠二藤田,弥央池田,清一郎東

2012siam international conference on data mining（2012）引用：23

引用

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9一次元縦積みシリコン系量子ドットの形成と発光ダイオードへの応用(Siウェハ上結晶成長・評価・デバイス応用,結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))

克典牧原,弥央池田,誠一宮崎

2012siam international conference on data mining（2012）引用：23

引用

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10柱状Siナノ構造における局所電気伝導と電子放出特性評価(酸化物(成膜・評価).電子源,結晶成長,評価及びデバイス(化合物,Si,SiGe,電子・光材料))

大智竹内,克典牧原,弥央池田, 誠一宮崎, 裕和可貴,Daichi Takeuchi,Katsunori Makihara,Mitsuhisa Ikeda,Seiichi Miyazaki,Hirokazu Kaki,Hayashi Tsukasa

2012SIAM International Conference on Data Mining（2012）引用：23

引用

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11Si量子ドット/NiSiナノドットハイブリッド積層フローティングゲートMOS構造における光励起キャリア移動(ゲート絶縁薄膜,容量膜,機能膜及びメモリ技術)

弥央池田,克典牧原, 誠一宮崎,Mitsuhisa Ikeda,Katsunori Makihara,Seiichi Miyazaki

2012SDM（2012）引用：23

引用

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1221aHV-13 2次元電子ガス-量子ドット界面における電子トンネル過程に対する微視的考察(21aHV 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))

正和村口,幸宏高田,蓉子櫻井,晋太郎野村,賢二白石,克典牧原,弥央池田,誠一宮崎,育照重田,哲郎遠藤

2010引用：23

引用

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1321aHV-13 2次元電子ガス-量子ドット界面における電子トンネル過程に対する微視的考察(21aHV 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))

村口正和,高田幸宏,櫻井蓉子, 野村晋太郎,白石賢二,牧原克典,池田弥央,宮崎誠一,重田育照,遠藤哲郎

2010

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1430pTX-1 電子ガス-量子ドット結合系における電子構造II(30pTX 量子ドット(結合系とスピン),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))

幸宏高田,蓉子櫻井,正和村口,弥央池田,克典牧原,誠一宮崎,哲郎遠藤,晋太郎野村,賢二白石

2009引用：23

引用

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1526aXG-13 光励起下における電子ガス-量子ドット結合系のC-V特性とI-V特性(量子ドット,領域4,半導体,メゾスコピック系・局在)

蓉子櫻井,幸宏高田,晋太郎野村,賢二白石,正和村口,哲郎遠藤,弥央池田,克典牧原,誠一宮崎

2009引用：23

引用

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1630pTX-3 電子ガス-量子ドット結合系における電子ダイナミクスII(30pTX 量子ドット(結合系とスピン),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))

正和村口,哲郎遠藤,蓉子櫻井,晋太郎野村,幸宏高田,賢二白石,弥央池田,克典牧原,誠一宮崎,慎一斉藤

2009引用：23

引用

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17HfO 2 コントロール酸化膜を有するNiSiドット/Si量子ドット積層ハイブリッドフローティングゲートMOSキャパシタにおける電子注入特性

池田弥央,牧原克典, 島ノ江和広, 川浪彰, 中西翔, 森澤直也, 藤本淳仁,大田晃生,貫目大介,宮崎誠一

2009

引用

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1830pTX-2 電子ガス-量子ドット結合系におけるC-V特性およびI-V特性のSweep Rate依存性(30pTX 量子ドット(結合系とスピン),領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))

蓉子櫻井,幸宏高田,晋太郎野村,賢二白石,正和村口,哲郎遠藤,弥央池田,克典牧原,誠一宮崎

2009引用：22

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1921aYF-13 電子ガス-量子ドット結合系におけるC-V特性(21aYF 量子ドット,領域4(半導体,メゾスコピック系・局在))

蓉子櫻井,晋太郎野村,賢二白石,弥央池田,克典牧原,誠一宮崎

2008引用：22

引用

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20Si量子ドットへのB添加が発光特性へ及ぼす影響(第15回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2007))

一樹奥山,克典牧原,晃生大田,秀樹村上,弥央池田, 清二郎東,誠一宮崎

2007siam international conference on data mining（2007）引用：23

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作者统计

合作学者

合作机构

D-Core

合作者
学生
导师

ke dian mu yuan (克典牧原)合作论文数21

chengyi gongqi (宫崎诚一)合作论文数10

huang sheng da tian (晃生大田)合作论文数9

rong zi ying jing (蓉子櫻井)合作论文数7

xing hong gao tian (幸宏高田)合作论文数6

jin tai lang ye cun (晋太郎野村)合作论文数6

zhe lang yuan teng (哲郎遠藤)合作论文数6

xian er bai shi (賢二白石)合作论文数6

xiu shu cun shang (秀樹村上)合作论文数5

tengcun xinxing (信幸藤村)合作论文数3

cunkou zhenghe (正和村口)合作论文数3

qing yi lang dong (清一郎東)合作论文数3

gong chengyi (誠一宮﨑)合作论文数2

da nei zhi zhu (大智竹内)合作论文数2

chang huang xi ping (昌晃洗平)合作论文数2

xiong jie qing shui (雄介清水)合作论文数2

yu zhao zhong tian (育照重田)合作论文数2

Katsunori Makihara合作论文数2

chang zhi hei ze (昌志黒澤)合作论文数2

ji zhi tian gang (紀之田岡)合作论文数2

cheng yi gong qi (誠一宮崎)合作论文数2

M. Ikeda合作论文数2

Seiichi Miyazaki (宮﨑誠一)合作论文数Nagoya University2

Hirokazu Kaki合作论文数1

san cong qing shui (三聡清水)合作论文数1

xinmi daomao (稻毛信弥)合作论文数1

you er teng tian (悠二藤田)合作论文数1

lin jiangping (将平林)合作论文数1

liang ping song yuan (良平松原)合作论文数1

zhongchuan bo (博中川)合作论文数1

da jie guan mu (大介貫目)合作论文数1

gong yi yi teng (公一伊藤)合作论文数1

shen yi qi teng (慎一斉藤)合作论文数1

xianer baishi (白石賢二)合作论文数1

Yingcai Peng合作论文数1

Tsukasa Hayashi合作论文数1

Daichi Takeuchi合作论文数1

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