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正明 葛原 | AMiner学者主页 | AMiner
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论文(97)
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1
酸素プラズマ処理によるAlGaN/GaN HEMTsの破壊電圧向上に関する研究
俊佑 神谷
,
高至 西谷
,
悠 松田
,
望 高野
,
タクラ ジョエル
,
博邦 徳田
,
正明 葛原
2020
引用
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加入学术空间
2
AlGaN/GaN SG-HEMTと比べてMIS-HEMTの優れた高周波特性に関する研究
アリ バラトフ
,
渉至 小澤
,
隼平 山下
,
ジョエル アスバル
,
博邦 徳田
,
正明 葛原
2020
引用
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加入学术空间
3
Mist-CVD法によるAl2O3絶縁膜を用いたAlGaN/GaN MIS-HEMTの電気特性
ルイ ロー
,
樹 永瀬
,
アリ バラトフ
,
ジョエル アスバル
,
博邦 徳田
,
正明 葛原
,
然治 谷田部
,
健太 内藤
,
智洋 本山
,
有水 中村
2020
引用
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加入学术空间
4
窒化物半導体パワーデバイス開発の現状 (電子部品・材料)
正明 葛原
2017
IEICE technical report. Speech
引用
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加入学术空间
5
三次元FP構造AlGaN/GaN HEMTのエッチング溝間隔が電気的特性に与える影響
鈴木敦也
,
J T Asuber
,
徳田博邦
,
葛原正明
2017
応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)
引用
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加入学术空间
6
三次元フィールドプレートを用いたAlGaN/GaN HEMTの電流コラプス抑制
鈴木敦也
,
T Asubar Joel
,
徳田博邦
,
葛原正明
2016
引用
AI阅读
加入学术空间
7
MOVPE成長InGaN厚膜における相分離の臨界膜厚(窒化物半導体光・電子デバイス,材料,関連技術,及び一般)
和樹 児玉
,
Tanvir Hasan
,
裕之 野村
,
直輝 重川
,
勇 山本
,
正明 葛原
2014
Combinatorial Pattern Matching
引用
AI阅读
加入学术空间
8
MOVPE成長InGaN厚膜における相分離の臨界膜厚 (レーザ・量子エレクトロニクス)
和樹 児玉
,
Tanvir Hasan
,
裕之 野村
,
直輝 重川
,
勇 山本
,
正明 葛原
2014
IEICE technical report Speech
引用:23
引用
AI阅读
加入学术空间
9
MOVPE成長InGaN厚膜における相分離の臨界膜厚 (電子部品・材料)
和樹 児玉
,
Tanvir Hasan
,
裕之 野村
,
直輝 重川
,
勇 山本
,
正明 葛原
2014
IEICE technical report Speech
引用:23
引用
AI阅读
加入学术空间
10
ZrO_2/Al_2O_3積層膜をゲート絶縁膜に用いたn-GaN MISダイオードの界面特性(窒化物及び混晶半導体デバイス,及び一般)
真太郎 樹神
,
博邦 徳田
,
正明 葛原
2013
Combinatorial Pattern Matching(2013)
引用:23
引用
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加入学术空间
11
AlGan/GaNと金属との反応による二次元電子ガス濃度と移動度の増加 (電子デバイス)
博邦 徳田
,
敏和 小島
,
正明 葛原
2013
IEICE technical report. Speech(2013)
引用
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加入学术空间
12
半導体デバイス研究開発のためのシミュレーションの利用 : 窒化物半導体デバイスの高性能化に向けて (特集 最近のコンピュータシミュレーション利用の動向)
正明 葛原
,
和樹 児玉
2013
引用:23
引用
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加入学术空间
13
AlGaN/GaNと金属との反応による二次元電子ガス濃度と移動度の増加(半導体プロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)
博邦 徳田
,
敏和 小島
,
正明 葛原
2013
引用:23
引用
AI阅读
加入学术空间
14
ZrO2/Al2O3積層膜をゲート絶縁膜に用いたn-GaN MISダイオードの界面特性
真太郎 樹神
,
博邦 徳田
,
正明 葛原
2013
引用
AI阅读
加入学术空间
15
AlGaN/GaN MIS HEMTの直流特性に与える熱処理の影響(半導体プロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)
舞子 畑野
,
裕哉 谷口
,
博邦 徳田
,
正明 葛原
2012
引用
AI阅读
加入学术空间
16
AlGaN/GaN MIS HEMTの直流特性に与える熱処理の影響(半導体プロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)
舞子 畑野
,
裕哉 谷口
,
博邦 徳田
,
正明 葛原
2012
引用:23
引用
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加入学术空间
17
AlGaNチャネルHEMTの高温特性評価(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)
舞子 畑野
,
潤 山崎
,
憲成 矢船
,
博邦 徳田
,
喜之 山本
,
信 橋本
,
勝史 秋田
,
正明 葛原
2012
引用:23
引用
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加入学术空间
18
フルバンドモデルに基づくAlGaN/GaN HEMTの衝突イオン化の理論検討(半導体プロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)
和樹 児玉
,
博邦 徳田
,
正明 葛原
2012
引用:23
引用
AI阅读
加入学术空间
19
AlInN/AlN/GaNヘテロ接合における高温での表面障壁高さの低下
タンビル ハサン
,
徳田 博邦
,
葛原 正明
2011
引用
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加入学术空间
20
リセスゲートAlGaN/GaNヘテロ接合FETの電気的特性評価(半導体のプロセス・デバイス(表面,界面,信頼性),一般)
美郷 向野
,
直樹 山田
,
博邦 徳田
,
正明 葛原
2010
引用:23
引用
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合作学者
合作机构
D-Core
合作者
学生
导师
yu er an teng (裕二 安藤)
合作论文数
27
guang xin gong ben (広信 宮本)
合作论文数
25
da feng zhong shan (達峰 中山)
合作论文数
24
kang hong gang ben (康宏 岡本)
合作论文数
19
bo bang de tian (博邦 徳田)
合作论文数
17
jian zi li yuan (健資 笠原)
合作论文数
16
qian ci yan dao (謙次 塩島)
合作论文数
15
he shu er yu (和樹 児玉)
合作论文数
10
jingshang long (隆 井上)
合作论文数
10
gao zhi song yong (高治 松永)
合作论文数
9
meng li xi tian (猛利 西田)
合作论文数
7
liang fu jiu jing (亮輔 酒井)
合作论文数
7
xin xing yu shan (信幸 羽山)
合作论文数
6
he yan en tian (和彦 恩田)
合作论文数
6
yu zhi gao qiao (裕之 高橋)
合作论文数
6
he ming guo hong (和明 國弘)
合作论文数
5
xian cheng shi chuan (憲成 矢船)
合作论文数
5
tai fu da ye (泰夫 大野)
合作论文数
5
zhi long gang jing (智隆 岡井)
合作论文数
5
wu zi tian ye (舞子 畑野)
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4
hui mei zi shui mu (恵美子 水木)
合作论文数
4
ming fu shi yuan (明 冨士原)
合作论文数
4
da cheng jin gang (大成 近岡)
合作论文数
4
he ma ye ze (和則 麻埜)
合作论文数
4
ku gongzi (恭子 堀)
合作论文数
4
zhang nan fen dao (彰男 分島)
合作论文数
4
geng er fan gu (耕二 幡谷)
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4
zhi gao yan tian (直高 岩田)
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4
qi tai di xu (啓太 荻須)
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3
yi shu da tian (一樹 大田)
合作论文数
3
qing guang fu dao (慶広 福島)
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3
Tanvir Hasan
合作论文数
3
yu zhi ye cun (裕之 野村)
合作论文数
3
shanqi run (潤 山崎)
合作论文数
3
gui yi zuo ye (圭一 作野)
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3
zhi hui zhong chuan (直輝 重川)
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3
shanben yong (勇 山本)
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3
xing zhi shi cang (幸治 石倉)
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2
gan fu jin sen (幹夫 金森)
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2
ウォルター コントラッタ
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2
xi zhi shan ben (喜之 山本)
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2
zheng hong zhou qiao (政弘 舟橋)
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2
chunzi senchuan (森川純子)
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2
sheng shi qiu tian (勝史 秋田)
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2
shi zhi du bian (史直 渡邊)
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2
muye hong (弘 牧野)
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2
xi gu jian yi (細谷 健一)
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2
qiaoben xin (信 橋本)
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2
相似学者
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guang xin gong ben
da feng zhong shan
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