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1界面にリンおよび窒素を導入した4H-SiC MOSFETのしきい値電圧不安定性の考察 (シリコン材料・デバイス)

夏子金藤,裕司矢野,愛大澤,智亮畑山,隆冬木

2013IEICE technical report. Speech（2013）

引用

AI阅读

2界面にリンおよび窒素を導入した4H-SiC MOSFETのしきい値電圧不安定性の考察(シリコン関連材料の作製と評価)

夏子金藤,裕司矢野,愛大澤,智亮畑山,隆冬木

2013SIAM International Conference on Data Mining（2013）

引用

AI阅读

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合作学者

合作机构

D-Core

合作者
学生
导师

yu si shi ye (裕司矢野)合作论文数2

zhi liang tian shan (智亮畑山)合作论文数2

daze ai (愛大澤)合作论文数2

dongmu long (隆冬木)合作论文数2

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页面数据均来自互联网公开来源、合作出版商和通过AI技术自动分析结果，我们不对页面数据的有效性、准确性、正确性、可靠性、完整性和及时性做出任何承诺和保证。若有疑问，可以通过电子邮件方式联系我们：report@aminer.cn

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