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论文（29）

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1P型障壁制御層を有する大電流・高耐圧GaNマルチジャンクションダイオード (マイクロ波)

大輔柴田, 一裕海原,智洋村田, 康博山田, 竜夫森田, 義治按田,昌宏石田,秀俊石田,哲三上田, 毅田中,大助上田

2012

引用

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2P型障壁制御層を有する大電流・高耐圧GaNマルチジャンクションダイオード(化合物半導体デバイス及び超高周波デバイス/一般)

大輔柴田,一裕海原,智洋村田, 康博山田,竜夫森田,義治按田,昌宏石田,秀俊石田,哲三上田,毅田中,大助上田

2012引用：23

引用

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3準ミリ波長距離伝送に向けた低コスト基板上GaNデバイス(ミリ波・テラヘルツ波デバイス・システム)

啓之酒井,正行黒田,昇根来,智洋村田,秀一永井,将明西嶋,義治按田,哲三上田,毅田中

2010引用：22

引用

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4C-10-3 高周波信号用ビアを有するサファイア基板上GaN MMICのチップサイズパッケージ(C-10.電子デバイス,一般セッション)

智洋村田,正行黒田,秀一永井,将明西嶋,啓之酒井,哲三上田,毅田中,大助上田

2010引用：23

引用

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5223 SUS304L焼結ステンレス鋼の機械的特性,および表面Cr量に及ぼす焼結雰囲気の影響(粉末成形とその評価(1),ものづくりにおける基礎研究と先端技術の融合)

翔吾樋田, 洋平中込,智洋村田,卓也藤間,研一高木

2010引用：23

引用

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6In-situ SiNをゲート絶縁膜に用いたAlGaN/GaN MIS-HFET(化合物半導体IC及び超高速・超高周波デバイス/一般)

正行黒田,智洋村田,敏志中澤,俊幸瀧澤,将明西嶋,学柳原,哲三上田,毅田中

2009引用：23

引用

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7In-situ SiN をゲート絶縁膜に用いたAlGaN/GaN MIS-HFET

正行黒田,智洋村田, 敏志中澤, 俊幸瀧澤, 将明西嶋,学柳原,哲三上田, 毅田中

2009

引用

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8C-10-14 サファイア上マイクロストリップ線路を用いた準ミリ波帯AlGaN/GaN MMIC(C-10. 電子デバイス,一般セッション)

智洋村田,正行黒田,秀一永井,将明西嶋,秀俊石田,学柳原,哲三上田,啓之酒井,毅田中,Ming Li

2008引用：23

引用

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9C-10-10 in-situ SiN膜を用いたAlGaN/GaN MIS型HFET(C-10. 電子デバイス,一般セッション)

正行黒田,智洋村田,敏志中澤,俊幸瀧澤,将明西嶋,学柳原,哲三上田,毅田中

2008引用：23

引用

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10サファイア基板上準ミリ波帯AlGaN/GaN MMIC

智洋村田,正行黒田,秀一永井,将明西嶋,秀俊石田,学柳原,哲三上田,啓之酒井,毅田中, L I Ming

2008引用：23

引用

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112008年IEEE MTT-S国際マイクロ波シンポジウム(IMS2008)出席報告

俊雄石崎,亮土谷,智洋村田,正河合,充弘下沢

2008引用：23

引用

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12AlGaN/GaN Power Transistors for power switching applications(第15回先端半導体デバイスの基礎と応用に関するアジア・太平洋ワークショップ(AWAD2007))

康裕上本,正洋引田,弘明上野,智洋村田,尚慶松尾,秀俊石田,学柳原,哲三上田,毅田中,大助上田

2007SIAM International Conference on Data Mining（2007）引用：23

引用

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13AlGaN/GaN HFETにおけるAlNパッシベーションの効果(半導体表面・界面制御・評価と電子デバイスの信頼性)

弘明上野,智洋村田,秀俊石田,哲三上田,康裕上本,毅田中,薫井上

2006siam international conference on data mining（2006）引用：23

引用

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14AlGaN/GaN HFETにおけるAlNパッシベーションの効果

弘明上野,智洋村田,秀俊石田,哲三上田,康裕上本,毅田中,薫井上

2006siam international conference on data mining（2006）引用：23

引用

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15超格子キャップ層を用いた低ソース抵抗AlGaN/GaN HFET (特集/第20回テクノフェスタ)

智洋村田,正洋引田,裕廣瀬

2006Fine ceramics report引用：23

引用

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16C-10-13 AlGaN/GaN HFETにおけるAlNパッシベーションの効果(C-10.電子デバイス,一般講演)

弘明上野,智洋村田,秀俊石田,哲三上田,康裕上本,毅田中

2006引用：23

引用

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17超格子キャップ層を用いたサファイア基板上K帯AlGaN/GaN MMIC増幅器

将明西嶋,智洋村田,正洋引田,裕廣瀬,昇根来,啓之酒井,薫井上,康裕上本,毅田中,大助上田

2005引用：23

引用

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18超格子キャップ層を用いた低ソース抵抗AlGaN/GaN HFET(超高速・超高周波デバイス及びIC/一般)

智洋村田,正洋引田,裕廣瀬,薫井上,康裕上本,毅田中,大助上田

2005引用：23

引用

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19AlGaN/GaN HFETの高周波およびパワーデバイスへの応用(High Speed and Optoelectronic Technology I, 先端デバイスの基礎と応用に関するアジアワークショップ(AWAD2005))

康裕上本,裕広瀬,智洋村田,秀俊石田,正洋引田,学柳原,薫井上,毅田中,大助上田,孝志江川

2005siam international conference on data mining（2005）引用：23

引用

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20C-10-21 AlGaN/GaN HFETを用いた高出力SPDTスイッチIC(C-10.電子デバイス)

秀俊石田,裕廣瀬,敦彦神田,智洋村田,義人池田,年伸松野,薫井上,康裕上本,毅田中,孝志江川,大助上田

2004引用：23

引用

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作者统计

合作学者

合作机构

D-Core

合作者
学生
导师

tianzhong yi (毅田中)合作论文数15

xiu jun shi tian (秀俊石田)合作论文数14

zhe san shang tian (哲三上田)合作论文数13

kang yu shang ben (康裕上本)合作论文数12

da zhu shang tian (大助上田)合作论文数10

guanglai yu (裕廣瀬)合作论文数10

jingshang xun (薫井上)合作论文数9

jiang ming xi dao (将明西嶋)合作论文数7

liuyuan xue (学柳原)合作论文数7

zheng xing hei tian (正行黒田)合作论文数6

qi zhi jiu jing (啓之酒井)合作论文数5

dun yan shen tian (敦彦神田)合作论文数5

zheng yang yin tian (正洋引田)合作论文数5

xiao zhi jiang chuan (孝志江川)合作论文数5

chitian yiren (義人池田)合作论文数4

xiu yi yong jing (秀一永井)合作论文数4

hong ming shang ye (弘明上野)合作论文数4

nian shen song ye (年伸松野)合作论文数3

xian jiu jian tian (憲久薦田)合作论文数3

ji fan shi jing (基範石井)合作论文数3

yi zhi an tian (義治按田)合作论文数2

chang hong shi tian (昌宏石田)合作论文数2

min zhi zhong ze (敏志中澤)合作论文数2

jun xing long ze (俊幸瀧澤)合作论文数2

genlai sheng (昇根来)合作论文数2

fu long sen tian (竜夫森田)合作论文数1

hai yi yu yuan (一裕海原)合作论文数1

teng jian zhuo ye (藤間卓也)合作论文数1

xiao zhi shen bao (孝志神保)合作论文数1

tugu liang (亮土谷)合作论文数1

da fu chai tian (大輔柴田)合作论文数1

hehe zheng (正河合)合作论文数1

shang qing song wei (尚慶松尾)合作论文数1

chong hong xia ze (充弘下沢)合作论文数1

bo kang shi chuan (博康石川)合作论文数1

yan yi gao mu (研一高木)合作论文数1

jun xiong shi qi (俊雄石崎)合作论文数1

ming li合作论文数1

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