La presente invention concerne un element electroluminescent a semi-conducteur compose en nitrure de gallium qui est pourvu d'une couche de semi-conducteur compose en nitrure de gallium de type n, d'une couche de semi-conducteur compose en nitrure de gallium de type p, et d'une couche active positionnee entre la couche de semi-conducteur compose en nitrure de gallium de type n et la couche de semi-conducteur compose en nitrure de gallium de type p. La couche active et la couche de semi-conducteur compose en nitrure de gallium de type p sont des couches de semi-conducteur de plan m. La couche de semi-conducteur compose en nitrure de gallium de type p contient du magnesium a une concentration de 2,0 × 10 18 cm -3 a 2,5 × 10 19 cm -3 , et de l'oxygene a une concentration de 5 a 15 % de la concentration en magnesium.