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一彦 間瀬 | AMiner学者主页 | AMiner
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1
平成27年度熊谷記念真空科学論文賞,真空技術賞,真空進歩賞,真空会誌賞の審査経過と受賞業績紹介
間瀬 一彦
2015
引用
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加入学术空间
2
28pPSA-76 微傾斜SiC(0001)表面上のMBEグラフェン.ナノリボンの電子状態(28pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面・結晶成長))
拓嗣 飯盛
,
寛 中辻
,
俊生 宮町
,
聖憲 金
,
隆司 梶原
,
Anton Visikovsliy
,
悟 田中
,
一彦 間瀬
,
文夫 小森
2014
引用:23
引用
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加入学术空间
3
平成26年度熊谷記念真空科学論文賞,真空技術賞,真空進歩賞,真空会誌賞の審査経過と受賞業績紹介
一彦 間瀬
2014
Journal of The Vacuum Society of Japan(2014)
引用
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加入学术空间
4
28aAS-5 角度積分型光電子分光で観測される状態密度とは何か : グラファイトにおける第一原理計算と実験の比較(28aAS 光電子分光(放射光,強相関電子系,超高速現象),領域5(光物性))
田中 慎一郎
,
高野 優作
,
奥沢 誠
,
間瀬 一彦
2014
引用:23
引用
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加入学术空间
5
8aAS-8 微傾斜SiC上のグラフェン・ナノリボンの電子状態の幅依存性について(8aAS グラフェン・シリセン,領域9(表面・界面,結晶成長))
拓嗣 飯盛
,
寛 中辻
,
俊生 宮町
,
聖憲 金
,
匡 田村
,
隆司 梶原
,
Anton Visikovsliy
,
悟 田中
,
一彦 間瀬
,
文夫 小森
2014
引用:23
引用
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加入学术空间
6
27pXK-2 単結晶真鍮表面の初期酸化に伴うShockley準位の応答(27pXK 領域9,領域6合同招待講演,領域9(表面・界面,結晶成長))
健一 小澤
,
万里 江森
,
弘 坂間
,
沙織 今西
,
一之 枝元
,
悠平 三森
,
博雄 加藤
,
一彦 間瀬
2013
引用:23
引用
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加入学术空间
7
高エネルギー加速器研究機構の B ファクトリーとフォトンファクトリーにおける東日本大震災の被害
融 本田
,
祐介 末次
,
一彦 間瀬
2012
引用:23
引用
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加入学术空间
8
23pPSB-9 有機薄膜研究用高輝度真空紫外軟X線ビームラインの開発と性能評価(23pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
章雄 豊島
,
貴司 菊地
,
宏和 田中
,
一彦 間瀬
,
健太 雨宮
,
健二 伊藤
2011
引用:23
引用
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加入学术空间
9
Ambient-Pressure XPSを用いたPd(111)表面上のCO酸化反応の研究
遼 豊島
,
真明 吉田
,
祐爾 紋谷
,
友香 小宇佐
,
和馬 鈴木
,
仁 阿部
,
一彦 間瀬
,
健太 雨宮
,
寛 近藤
引用:23
引用
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加入学术空间
10
Ambient Pressure XPSによる窒素ドープ酸化チタン光触媒の生成過程の追跡
祐爾 紋谷
,
真明 吉田
,
遼 豊島
,
和馬 鈴木
,
仁 阿部
,
健太 雨宮
,
一彦 間瀬
,
寛 近藤
2011
引用:23
引用
AI阅读
加入学术空间
11
26pTH-2 水素吸着ZnO表面からの光刺激水素脱離とMgO薄膜による脱離抑制効果の検討(26pTH 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
健一 小澤
,
一彦 間瀬
2011
引用:23
引用
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加入学术空间
12
簡易な非蒸発ゲッター(NEG)と金蒸着源、放射光用水冷マスクの開発
貴司 菊地
,
宏和 田中
,
章雄 豊島
,
一彦 間瀬
2010
引用:23
引用
AI阅读
加入学术空间
13
21aGL-4 ZnO表面における水素吸着誘起金属化の表面依存性(21aGL 表面界面電子物性,領域9(表面・界面,結晶成長))
健一 小澤
,
一彦 間瀬
2010
引用:23
引用
AI阅读
加入学术空间
14
23aTA-8 軟X線照射による^ Cカーボンナノチューブからの原子脱離(23aTA 領域7,領域10合同 ナノチューブ・グラファイトにおける欠陥,領域7(分子性固体・有機導体))
裕 目良
,
智史 有馬
,
喜一朗 石崎
,
拓大 垣内
,
一彦 間瀬
,
榮 項
,
淳一郎 塩見
,
茂夫 丸山
,
康二 前田
2008
引用:23
引用
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加入学术空间
15
高分解能電子―電子‐イオンコインシデンス分光によるSi単結晶清浄表面の表面最上層のSi2p光電子およびSi L23VVオージェ電子スペクトル測定
垣内拓大
,
藤田斉彦
,
橋本章吾
,
間瀬一彦
,
田中正俊
2008
分子科学討論会講演プログラム&要旨(Web)
引用
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加入学术空间
16
22pPSA-21 改良型電子-電子-イオンコインシデンス分光装置の開発とサイト選択的イオン脱離研究への応用(22pPSA 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
拓大 垣内
,
斉彦 藤田
,
章吾 橋本
,
一彦 間瀬
,
浄治 大下
,
伸一 長岡
,
正俊 田中
2008
引用:23
引用
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加入学术空间
17
22aXJ-8 オージェー光電子コインシデンス分光法による酸化シリコン超薄膜(SiO_2/Si(100))の表面・界面の局所価電子状態を反映したオージェ電子スペクトルの測定(表面界面構造,領域9,表面・界面,結晶成長)
拓大 垣内
,
斉彦 藤田
,
一彦 間瀬
2007
引用:23
引用
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加入学术空间
18
25pPSB-39 電子-電子-イオンコインシデンス分光装置の開発と性能評価(25pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
拓大 垣内
,
英一 小林
,
直之 岡田
,
健 小山田
,
誠 奥沢
,
幸司 奥平
,
一彦 間瀬
2006
引用:23
引用
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加入学术空间
19
27aXJ-13 凝縮水、凝縮アンモニアの表面分子内殻共鳴励起、バルク分子内殻共鳴励起に由来するイオン脱離の比較(27aXJ 表面ダイナミックス(半導体表面),領域9(表面・界面,結晶成長))
英一 小林
,
淳哉 瀬尾
,
幸司 奥平
,
一彦 間瀬
,
正俊 田中
,
信雄 上野
2006
引用:23
引用
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加入学术空间
20
25pPSB-38 電子-極角分解イオンコインシデンス分光法によるH_2O/Siの4a_1←O 1s共鳴励起誘起H^+脱離の研究 : H_2O/Si(111)とH_2O/Si(100)の比較(25pPSB 領域9ポスターセッション,領域9(表面・界面,結晶成長))
英一 小林
,
淳哉 瀬尾
,
幸司 奥平
,
修 高橋
,
一彦 間瀬
2006
引用:23
引用
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shen yi lang tian zhong (慎一郎 田中)
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21
hao zheng cun tian (好正 村田)
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17
yongyuan chong (充 永園)
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16
heng xiong yu li xu (恒雄 宇理須)
合作论文数
11
ying yi xiao lin (英一 小林)
合作论文数
10
xing si ao ping (幸司 奥平)
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8
yang ci a zhi bo (洋次 阿知波)
合作论文数
8
qing yi shui ye (清義 水野)
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7
shen yi chang gang (伸一 長岡)
合作论文数
7
ya fu lian tian (雅夫 鎌田)
合作论文数
6
xin xiong shang ye (信雄 上野)
合作论文数
6
chun zai lai wei (淳哉 瀬尾)
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5
nanbu ying (英 南部)
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5
da nei tuo yuan (垣内拓大)
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4
ke zhi fu gu (克之 福谷)
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4
zheng jun tian zhong (正俊 田中)
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4
zheng yi wa tian (政一 窪田)
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yu gangzhi (剛志 漁)
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3
aoze cheng (誠 奥沢)
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3
jian yi xiao ze (健一 小澤)
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3
jian yi lang tian zhong (健一郎 田中)
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3
jian tai yu gong (健太 雨宮)
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song wenfeng (文奉 宋)
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jun sheng gong ting (俊生 宮町)
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xiashan yan (巌 下山)
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tuo da yuan nei (拓大 垣内)
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2
zhang wu qiao ben (章吾 橋本)
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2
jin shengxian (聖憲 金)
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2
he dao zhong chuan (和道 中川)
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zhengxin sen (森 正信)
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2
tuo si fan sheng (拓嗣 飯盛)
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2
zhongshi kuan (寛 中辻)
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2
wen fu xiao sen (文夫 小森)
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2
jinteng kuan (寛 近藤)
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2
lidao liao (遼 豊島)
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2
anton visikovsliy
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xiao lin ying yi (小林 英一)
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long si wei yuan (隆司 梶原)
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yu xiong mu xia (郁雄 木下)
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yi zhi zhi yuan (一之 枝元)
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