Известно, что в исследовании явлений переноса в полупроводниках существенную роль играет механизм рассеяния носителей тока при данной температуре образца.Интересны результаты теории и эксперимента, полученного при исследовании магнетополевой зависимости термоэдс узкозонных полупроводников.В частности, установлено, что в области слабого поперечного магнитного поля термоэдс меняет свой знак в зависимости от механизма рассеяния.Следовательно, точное определение механизма рассеяния играет важную роль при сравнении результатов эксперимента с теорией.Из результатов экспериментального исследования отрицательной термоэдс электронного антимонида индия в зависимости от слабого поперечного магнитного поля в данной работе предложен метод нахождения теоретического коэффициента B r , определяемого механизмом рассеяния носителей тока

Samples of tricadmium diarsenide with MnAs nanogranules (44.7 mol % MnAs) are synthesized. The morphology of the samples is studied by X-ray phase analysis and electron microscopy. The electrical properties of tricadmium diarsenide with MnAs nanogranules are studied in a range of temperatures of 77–372 K. It is found that the voltammetric characteristics are symmetrical relative to the inversion of the voltage sign at this temperature, and their deviation from ohmicity at a certain threshold voltage and decrease in the region of ohmicity with the growth in temperature are determined by the increase in the breakdown probability in a field above 5 × 10 4 V/m.

Синтезированы образцы диарсенида трикадмия с наногранулами MnAs (MnAs --- 44.7 mol.%). Структура образцов исследована методами рентгенофазного анализа и электронной микроскопии. Исследованы электрические свойства диарсенида трикадмия с наногранулами MnAs в интервале температур 77-372 K. Обнаружено, что вольт-амперные характеристики симметричны относительно инверсии знака напряжения при данной температуре, их отклонение от омичности при определенном пороговом значении напряжения и уменьшение участка омичности с ростом температуры обусловлены увеличением вероятности пробоя в поле выше 5·104 V/m. Ключевые слова: нанокомпозиты, вольт-амперные характеристики, сопротивление, отрицательный температурный коэффициент, тепловой пробой.

— We have studied the effect of hydrostatic pressure on the galvanomagnetic properties of a Cd 3 As 2 + 20 mol % MnAs alloy in a transverse magnetic field of up to 4 kOe. The pressure dependences of the Hall coefficient and resistivity for the alloy provide evidence of reversible phase transitions. The observed negative magnetoresistance of the alloy is shown to be induced by high pressure.

Исследованы электрические и магнетополевые свойства композита на основе дираковского полуметалла, диарсенида трикадмия при высоком гидростатическом давлении.Изучены барические и температурные зависимости удельного электросопротивления, а также эффекта Холла и магнетосопротивления в поперечном магнитном поле.На барических зависимостях удельного электросопротивления и коэффициента

The effect of uniaxial deformation under a stress of up to 6 kg/cm2 on the current–voltage characteristics of a p-Ge/n-GaAs heterostructure is studied at 300 and 77 K. It is found that both the forward and reverse currents increase with increasing pressure, with the change in the forward current exceeding that in the reverse current by an order of magnitude. Deformation is also examined in relation to different crystallographic directions. It is found that the effect is at a maximum if the compression direction is parallel to <111>. This result can be used in the development of uniaxial-strain sensors.

The thermoelectric power of electronic indium antimonide with n = 2 × 1014 cm−3 in a transverse magnetic field as high as 7 kOe is studied in the temperature range from 4.8 to 120 K. The thermoelectric power is found to be independent of field at a temperature close to 56 K.

The current-voltage characteristic of the p-Ge-n-GaAs heterojunction is experimentally studied under hydrostatic pressure as high as 8 GPa and temperature of 300 K. The baric coefficient of the edge of the valence band of Ge is calculated using the experimental results.

Current-voltage characteristics, which emerge under the effect of oppositely directed temperature gradients, are investigated for “long” Ge-GaAs p-n junctions. The rectification factor increases depending on counter heat flows. This effect is attributed to a thermoelectric field forming at the heterointerface.