В статье рассматривается прохождение энергичными тяжелыми ионами галактических космических лучей через многослойную структуру – прототип интегральной схемы. Оценка индуцированного ионом числа электронно-дырочных пар в чувствительной области транзистора проведена с учетом потерь энергии в корпусе микросхемы, а также в защитных оксидных слоях, в контактах и металлизированных слоях. Проведены расчеты энергии различных частиц, вызывающих генерацию заряда, потенциально способного приводить к одиночному сбою бортовой электроники. Было показано, что имеется пространственная область, из которой тяжелые фрагменты ядерных реакций могут проникать в подзатворную область транзистора, обладая кинетической энергией, достаточной для индуцирования заряда с концентрацией выше критической.