AbstractA heterostructure promising for designing a backward diode is formed from a zinc-oxide nanorod array and a nanostructured copper-iodide film. The effect of modes of successive ionic layer adsorption and reaction (SILAR) deposition and the subsequent iodization of CuI films on smooth glass, mica, and fluorine-doped tin oxide (FTO) substrates and on the surface of electrodeposited nanostructured zinc-oxide arrays on the film structure and electrical and optical properties is investigated. A connection between the observed variations in the structure and properties of this material and intrinsic and iodination-induced point defects is established. It is found that the cause and condition for creating a backward-diode heterostructure based on a zinc-oxide nanoarray formed by pulsed electrodeposition and a copper-iodide film grown by the SILAR method is the formation of a p ^+-CuI degenerate semiconductor by the excessive iodination of layers of this nanostructured material through its developed surface. The n -ZnO/ p ^+-CuI barrier heterostructure, which is fabricated for the first time, has the I – V characteristic of a backward diode, the curvature factor of which (γ = 12 V^–1) confirms its high Q factor.
В качестве перспективной базовой приборной диодной структуры полупрозрачного детектора ближнего ультрафиолетового излучения исследована барьерная гетероструктура p-CuI/n-ZnO. Проведен анализ кристаллической структуры, электрических и оптических свойств электроосажденных в импульсном режиме наномассивов оксида цинка и изготовленных методом SILAR пленок иодида меди, на основе которых создана чувствительная к УФ-облучению в спектральном диапазоне 365-370 нм барьерная гетероструктура n-ZnO/p-CuI. С помощью вольт-амперных характеристик определены шунтирующее сопротивление Rsh· Sc=879 Ом · см2, последовательное сопротивление Rs· Sc=8.5 Ом · см2, коэффициент выпрямления диода K=17.6, высота выпрямляющего барьера p-n-перехода Phi=1.1 эВ, коэффициент идеальности диода eta=2.4. Показано, что при малых напряжениях прямого смещения 00 составили 6.4·10-6 мА · см-2 для механизма рекомбинации и туннельного переноса и 2.7·10-3 мА · см-2 для туннельно-рекомбинационного механизма переноса носителей заряда. DOI: 10.21883/FTP.2017.06.44563.8450
Исследованы структура, морфология поверхности и оптические свойства электроосажденных в импульсном режиме наноструктурированных массивов ZnO, а также осажденных из коллоидных растворов наночастиц Ag и нанокомпозитов ZnO/Ag на их основе. По результатам исследований вольт-амперных и вольт-фарадных характеристик проведен анализ электронных и электрических параметров массивов ZnO и нанокомпозитов ZnO/Ag. Определены оптимальные режимы изготовления стабильных и высокочувствительных по отношению к ультрафиолетовому излучению гетероструктур ZnO/Ag в качестве перспективных материалов фотодетекторов, газовых датчиков и фотокатализаторов. DOI: 10.21883/FTP.2017.03.44206.8303
