В.А. Тулин | AMiner学者主页

全面呈现 [В.А. Тулин] 的学术影响力

深度挖掘高质量成果与权威引用，让优秀看得见

研究兴趣

202020212022

论文（7）

专利

基金项目

按年份排序按引用量排序主题筛选期刊级别筛选合作者筛选合作机构筛选

1МЕМРИСТИВНЫЕ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ В МИКРОСТРУКТУРАХ НА ОСНОВЕ СЕЛЕНИДА ВИСМУТА

А.В. Зотов,А.И. Ильин,О.В. Трофимов,В.Т. Волков,В.А. Тулин

Методом электронной литографии к чешуйкам Bi2Se3, перенесенным скотчем на подложку SiO2, созданы образцы, в которых исследованы процессы резистивных переключений и возможность управления многоуровневыми мемристивными состояниями.

2022Nanoindustry Russia（2022）

引用

AI阅读

2ИССЛЕДОВАНИЕ МЕМРИСТИВНЫХ ПЛАНАРНЫХ СТРУКТУР НА ОСНОВЕ ЛЕГИРОВАННЫХ МАНГАНИТОВ

Н.А. Тулина, А.Н. Рассоленко,И.М. Шмытько, А.А. Иванов,А.В. Зотов, В.В. Сироткин,И.Ю. Борисенко,В.А. Тулин

Экспериментально и методом численного моделирования исследованы механизмы физико-химических процессов на интерфейсах металл - легированный манганит La1-xSrxMnO3-δ, определяющие мемристивные свойства структур на их основе.

2022Nanoindustry Russia（2022）

引用

AI阅读

3Синтез Новых Мемристивных Материалов AM 4 X 8 Для Применения В Электронике

Д. Н. Борисенко,Н. Н. Колесников,И. М. Шмытько,Н. А. Тулина,А. В. Зотов,И. Ю. Борисенко,В. А. Тулин

2021Известия Российской академии наук Серия физическая

引用

AI阅读

4МЕМРИСТИВНЫЕ СТРУКТУРЫ НА ОСНОВЕ ФЛЕЙКОВ СЕЛЕНИДА ВИСМУТА

А.В. Зотов,А.И. Ильин,О.В. Трофимов,В.А. Тулин

Методом электронной литографии созданы мемристивные структуры на основе флейков селенида висмута. Исследованы мемристивные переключения и возможность управления многоуровневыми мемристивными состояниями в полученных микроструктурах.

2021Nanoindustry Russia（2021）

引用

AI阅读

5ИССЛЕДОВАНИЕ ФУНКЦИОНАЛЬНЫХ СВОЙСТВ СЕЛЕНИДА ВИСМУТА В МЕМРИСТОРНЫХ СТРУКТУРАХ ДЛЯ ПРИМЕНЕНИЯ В ЭЛЕКТРОНИКЕ

Н.А. Тулина,А.Н. Россоленко,И.М. Шмытько,Н.Н. Колесников,Д.Н. Борисенко,А.В. Зотов,В.В. Сироткин,И.Ю. Борисенко,В.А. Тулин

Исследовался механизм, возможность и условия применения эффекта бистабильных резистивных переключений в структурах на основе халькогенидов в устройствах памяти и мемристорах как альтернативных функциональных материалов по сравнению с оксидами, традиционно разрабатываемых сегодня. The report highlights the mechanism, possibility and conditions of applying the effect of bistable resistive switching in structures based on the connection of metal selenides in memory devices and memristors as alternative functional materials in comparison with the oxides traditionally developed today.

2020NANOINDUSTRY Russia（2020）

引用

AI阅读

6ПЕРЕХОДНЫЕ ПРОЦЕССЫ В МНОГОУРОВНЕВЫХ МЕМРИСТИВНЫХ СТРУКТУРАХ НА ОСНОВЕ КРИСТАЛЛОВ СЕЛЕНИДА ВИСМУТА

А.В. Зотов,И.Ю. Борисенко,В.А. Тулин

Исследовались переходные процессы резистивных переключений и возможность управления многоуровневыми мемристивными структурами на основе селенида висмута.

2020Nanoindustry Russia（2020）引用：1

引用

AI阅读

7The Study of Switching Dynamics in Planar Structures Based on Epitaxial Films of YBa2Cu3O7-δ High-Temperature Superconductor

Tulina N. A.,Borisenko I. Yu.,Shmytko I. M.,Ivanov А. А.,Rossolenko A. N.,Sirotkin V. V.,Tulin V. A.

We have been studying the dynamic effects of bipolar resistive switching (BERS) in memristive planar heterostructures based on c-oriented epitaxial films of the high-temperature superconductor YBa2Cu3O7(YBCO). We have been observing the suppression of the memristive properties of the structures under sinusoidal and pulse loads and the nucleation and the evolution of the regions of current density and electric field in the structures under study. We found that the limiting frequencies of a sinusoidal type load for observing the switching effect are frequencies of about 10(4) Hz. It has been shown that the percolation channel is formed by the appearance of electric field domains in which the electric field threshold is reached. The switchings are controlled by two processes, with timet < ms and a longer time of the order of a few seconds. Possible physical models of the observed phenomena are being discussed.

2020Journal of Superconductivity and Novel Magnetism（2020）引用：3

引用

AI阅读