Методами високороздільної X-променевої дифракції (ВРХД), комбінаційного розсіяння світла (КРС) і фотолюмінесценції (ФЛ)досліджено вплив параметрів буферного шару Si1–xGex на просторове впорядкування самоіндукованих наноострівців Gе убагатошарових структурах SiGe/Si, вирощених на (001)Si підкладках. Показано, що товщина та компонентний склад Si1–xGex буферного шару впливають на латеральне впорядкування наноострівців завдяки різній чутливості до впорядкованої модуляції деформацій на поверхні шару. Встановлено, що просторове впорядкування задається виключно латеральнимвпорядкуванням уже в першому періоді надґратки (НҐ). Показано, що у випадку товстих Si1–xGex буферних шарів із значним вмістом Ge починається пластична релаксація з виникненням дислокацій невідповідності на межі поділу, а шари НҐ є когерентними до буферного шару. Комплексні дослідження структурних та оптичних характеристик дозволили отримати методичні підходи до дослідження впорядкування наноострівців у НҐ.

Розглянуто нанокластери Ge, вирощені методом молекулярно-променевої епітаксії на хімічно окисленій поверхні Si(001) при температурі 700 ºC. По дифракції рентгенівських променів та спектроскопії фотопровідності вперше виявлено, що нанокластери мають кристалічну структуру із об'ємоцентрованою тетрагональною ґраткою, яка має край власного поглинання поблизу 0,48 еВ при 50 K. Нанесення Si на поверхню з нанокластерами Ge приводить до реконструкції поверхні та формуванню полікристалічного покриття із кубічною ґраткою, а об'єм нанокластерів стає твердим розчином SiGe із тетрагональною ґраткою. Край власного поглинання завдяки перемішуванню Si–Ge зазнав зсуву до 0,73 еВ. Обґрунтовано можливий механізм росту нанокластерів.