The memristor metal-oxide-metal structures involving the layers of stoichiometric hafnia and nonstoichiometric hafnia doped with aluminum, as well as the metal-oxide-extracting metal layer structures involving the layers of hafnia and titanium, are fabricated. The oxide layers are coated using the atomic layer deposition. The resistive switching parameters of the structures are determined.

Изготовлены мемристорные структуры вида металл–оксид–металл с двухслойным оксидом, включающим слой стехиометрического оксида гафния и нестехиометрического оксида гафния, допированного алюминием, а также структуры вида металл–оксид–вытягивающий слой–металл, включающие слой оксида гафния и слой титана. Слои оксидов нанесены методом атомно-слоевого осаждения. Определены параметры эффекта резистивного переключения полученных структур.