Исследовано влияние концентрации в антиотражающем покрытии кислотного (п-толуолсульфокислота) и нейтрального (триэтиламмониевая соль додецилбензолсульфокислоты) катализаторов сшивки полимерного связующего на профиль элементов фоторезиста.

Экспериментально показано, что введение фотогенератора кислоты в композицию антиотражающего покрытия позволяет улучшить профиль полученных на нем элементов фоторезиста, а именно – формировать элементы без уширения у основания (footing).

Рассмотрены теоретические подходы к оптимизации оптических параметров антиотражающего покрытия (АОП), нанесенного между кремниевой подложкой и фоторезистом. Определены оптимальные характеристики АОП для первого и второго интерференционного минимума отражения света с длиной волны 193 нм (эксимерный ArF-лазер).

Рассмотрены подходы к созданию антиотражающих покрытий для фотолитографии с рабочей длиной волны 193 нм. Разработаны экспериментальные образцы, определены их фотолитографические показатели.

Проанализированы структуры полимеров, использующихся в антиотражающих покрытиях при фотолитографии с длиной волны 193 нм. Получены серии полимеров с разными хромофорами, определены особенности процессов синтеза и предложены составы полимеров, пригодных для использования в составе композиций АОП.