В данной работе проведено формирование гипердопированных слоев Si с примесями халькогенов (Se, Te), металлов (Fe, Cr), а также слоев Si с наночастицами узкозонного материала InSb. Образцы были получены при имплантации монокристалла p-Si(111) ионами Se+ , Te+ , Fe+ , Cr+ , а также при последовательной имплантации ионами Sb+ и In+ . После имплантации проводился отжиг аморфизованных слоев Si импульсами рубинового лазера ( = 0.694 мкм, 80 нс) или мощным пучком ионов углерода и водорода (C + , H+ , 300 кэВ, 100 нс) на ускорителе ТЕМП в жидкофазном режиме через процессы плавления и кристаллизации. Указанные процессы при лазерном отжиге диагностировались in-situ методикой регистрации отражения R(t) в облучаемой лазером зоне, позволяющей определить время жизни расплава. Оптические свойства полученных слоев исследовались на пропускание T и отражение R в области длин волн 0.5-10 мкм для определения их поглощательной способности (A=1- R-T).
Luminescence and thermal stability of defects formed in alpha-Al2O3 single crystals under pulsed ion beam treatment (C+/H+ ions with an energy 300 keV, pulse duration 80 ns) were investigated. This type of irradiation leads to the intensive generation of both single F- and F+-centers and more complex defects (F2-type aggregate centers or vacancy-impurity complexes) in alpha-Al2O3. It was confirmed by the results of optical absorption, photoluminescence, and pulsed cathodoluminescence measurements. The thermal stability of F-type defects formed in alpha-Al2O3 under the pulsed ion beam treatment is comparable to the stability of radiation-induced defects in neutron-irradiated samples.
