2014 La méthode de l'impulsion thermique, obtenue par flash optique ou par laser, pour la mesure des caractéristiques thermiques des corps (diffusivité, conductibilité, chaleur spécifique) est bien connue.Nous avons étendu la méthode à la mesure simultanée du pouvoir thermoélectrique.Connaissant l'énergie absorbée par la face antérieure de l'échantillon, l'évolution en température de la face opposée et la f.é.m. résultante obtenue entre les deux faces, on détermine le pouvoir thermoélectrique sans passer par la mesure du gradient de température à travers l'échantillon.Abstract.-The thermal pulse method, using an optical flash or a laser, for measuring the thermal characteristics of materials (diffusivity, conductivity, specific heat) is well known.We have extended the method to the simul- taneous measurement of thermoelectric power.Knowing the energy absorbed by the front surface of the sample, the variation of the temperature of the opposite surface and the resultant emf obtained between the two faces, one determines the thermoelectric power without necessity of measurement of the temperature gradient across the sample.

On étudie l'établissement du régime final dans l'évolution électrohydrodynamique d'un liquide isolant soumis à un flux de charges dans le cas d'un substrat conducteur et dans le cas d'un substrat plus ou moins isolant; le cas d'un substrat ferroélectrique est envisagé plus particulièrement. Dans le cas d'un substrat isolant on étudie des mouvements latéraux du liquide. On montre que l'analyse de la déformation du liquide permet des études de substrats. The establishment of the final behaviour is studied concerning the electrohydrodynamical evolution of an insulating liquid submitted to a flux of charges, for a conducting and for an insulating substrate of variable resistivity. In the case of an insulating substrate, lateral movements of the liquid are studied. One shows that analysis of the deformation of the liquid allows studies of substrates.

On développe divers aspects de la déformation de couches minces liquides isolantes déposées sur un substrat conducteur horizontal et soumises à un flux constant de charges. On précise la forme des caractéristiques reliant la tension qui appara[icaron]t aux bornes de la couche au courant qui passe. On étudie aussi la taille des cellules en fonction du courant. Dans le cas d'une décharge couronne, on envisage l'influence de la polarité, de la pression de l'atmosphère, de la forme de la tension appliquée. On examine aussi le cas de l'apport de charges par cathode chaude, par canon à ions et par canon à électrons sous vide. Des effects électromécaniques particuliers sont enfin envisagés. Various problems concerning the deformation of thin insulating liquid layers set on an horizontal conducting substrate submitted to a constant flux of charges are studied. The shape of the characteristics connecting the voltage which appears across the layer and the current crossing is examined. The size of the deformation cells is also studied vs current. For the case of a corona discharge, the influences of polarity, pressure of the atmosphere, shape of the voltage applied are considered. One examines also the supply of charges by a hot cathode, an ion gun and an electron gun in vacuum. Particular electromechanical effects are finally introduced.

On étudie le profil de la surface libre du liquide dans le cadre de deux théories: la théorie statique, dans laquelle on admet que le liquide déformé est en équilibre sous l'action des diverses forces, et la théorie convective, dans laquelle on considère qu'il y a un mouvement continuel du liquide. On précise divers comportements en prenant en compte les deux théories. The profile of the free surface of the liquid is studied in the framework of two theories: the static theory, in which one admits that the distorted liquid is in equilibrium under the action of various forces, and the convective one, in which one considers that there is a continuous flow of the liquid. Various behaviours are explained by taking into account both theories.

En relation avec les proprétés électriques, nous avons déterminé en fonction de la température la tension superficielle et le coefficient de dilatation du sélénium pur et dopé à I'iode. Le dopage a une grande influence sur la tension superficielle; les résultats sont interprétés en tenant compte des liaisons spécifiques dues à I'iode. In relation with the electrical properties, the surface tension and heat expansion coefficient of pure and doped selenium have been measured vs temperature. Doping by iodine largely modifies the surface tension; the results are explained by taking into account the special bonding forces produced by iodine.

L'étude, qui met en évidence l'existence de déformations variées, est faite en relation avec des considérations théoriques développées antérieurement. On met d'abord en évidence les phénomènes de base en examinant trois cas fondamentaux: goutte de forte viscosité, couches minces de faible et de forte viscosités. On précise le comportement de liquides particuliers. On indique enfin l'influence de divers paramètres, tels que l'épaisseur de la couche, sur les types de déformation observés. This work, which shows that various deformations may be obtained, is connected with theoretical considerations previously developed. Basic phenomena are firstly explained with a discussion of three fundamental experiments: drop of high viscosity, thin layers of low and high viscosities. The behaviour of particular liquids is stated precisely. Finally the influence of various parameters, such as depth of the layer, is shown for the typical deformations obtained.

Des mesures antérieures de la conductivité en régime continu et de l'effet thermoélectrique, en fonction de la température, pour du sélénium liquide pur et dopé à l'iode, sont ici complétées par des études faites en fonction de la fréquence ainsi que dans des conditions physiques et électriques spéciales. On interpréte l'ensemble du comportement par un mécanisme de semiconduction intrinsèque combiné à des effets des au désordre de la structure et à de fortes variations des mobilités des électrons et des trous Previous measurements of dc conductivity and thermoelectric power vs. temperature, for liquid selenium pure and doped with iodine, are completed here by studies performed vs. frequency and also under special conditions of physical and electrical nature. The whole behaviour is explained by a mechanism of intrinsic semi-conduction associated with effects due to the disorder of the structure and to large variations of electrons and hole mobilities.

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On a étudié le pouvoir thermoélectrique du sélénium en fonction de la température pour des échantillons de puretés diverses et dopés ayantn subi divers cyles thermiques. II varie beaucoup, passant d'un signe à l'autre; le dopage à l'iode tend à donner une conductibilité de type p. Thermoelectric power of selenium vs temperature has been studies for samples of variable purity or doped having undergone various thermal treatments. Large variations appear, with either sign; doping with iodine favours p-type conduction.

On a étudié la variation de la conductivité du sélénium en continu en fonction de la température pour des échantillons de puretés diverses et dopés ayant subi divers cycles thermiques. Las résultats sont voisins dsns l'étal liquide, ce qui conduit à conclur eque la conduction est essentiellement interinséque. Variations of d.c. conductivity of selenium vs temperature have been studied for samples of variable purity or doped having undergone various thermal treatments. Results are approximately the same, indicating the probably intrinsic conduction occurs.

Le liquide, en couche mince sur un substart conducteru horiozontal, est soumis à un flux uniforme de chares. On étudie les lon ondes progressives sinsoìdales de faible amplitude qui peuvent se former à al surface du liquide supposé parfiat. On Précise la relation entre la pulsation et le nombre d'onde pour le problème à une dimesion. On est amené à distnguer le cas des gradeset celui des faibles longuerus d'onde. A thin layer of liquid on a horizontal conductive substrate is submitted to a uniform flow of cahrges. Wave propagation at the suface of a perfect liuid ca then be obtained; sinusoldal waves of small amplitude are studied; the relation between frequency and wave number is given for the one-dimensional problem. It is necessary do distinguish between the cases of samll and large wave numbers

On établit d'abord l'équation aux dérivées patielles caractérisant la déformation de la couche soumise à une différence de potentiel uniforme. L'équation est résolue pour deux cas limites, celui des déformations de faible amplitude avec solution sinusoïdale et celui des déformations de forte amplitude avec déformation "cellulaire". On discute les résultats obtenus. The partial differential equation characterizing the deformation of the layer submitted to a uniform potential difference is first obtained. The equation is solved for two limiting cases, one of which corresponds to deformations of small amplitude, the other to deformations of large amplitude, with respectively sinusoïdal and "cellular" solutions. The results thus obtained are discussed

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