Abstract Nous présentons ici une étude par résistivité électrique de l'endommagement de l'iridium à basse température par des électrons et par les neutrons ďun réacteur. L'irradiation à 4 K par des électrons rapides nous permet de déterminer le seuil de déplacement atomique dans l'iridium [T d =(46±2) eV], la résistivité spécifique des paires de Frenkel [PF=(670±50) μΩcm] et ďaffirmer qu'aucune migration thermique de défauts n'a lieu en dessous de 35 K. Ľirradiation à 20 K par les neutrons ďun réacteur est plus complexe; à la création de défauts par chocs élastiques entre les neutrons rapides et les noyaux ďiridium, se superposent divers effets résultant des phénomènes ďactivation par interaction inélastique entre les neutrons thermiques et les noyaux ďiridium: création de défauts, recombinaisons, création ďimpuretés…. Une analyse détaillée de ces divers phénomeènes est présentée. The damage created in iridium during low temperature electron and reactor neutron irradiations is studied using electrical resistivity measurements. The electron irradiations at 4 K allowed us to determine the atomic displacement threshold of iridium [T d =(46±2) eV], the specific resistivity of Frenkel pairs [ PF =(670±50) μΩcm] and to show that the thermal migration of the irradiation-induced defects does not start below 35 K. The irradiation of iridium at 20 K by reactor neutrons is more complex; the elastic collisions of the fast neutrons with the atoms create point defects as in most metals. But iridium interacts also strongly with thermal neutrons via inelastic collisions. The corresponding nuclear reactions are accompanied by different phenomena: creation and recombination of defects, formation of impurities…. A detailed analysis of these various phenomena is given.

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