By means of a grid of point like electrodes the homogeneity of ZnO varistors is investigated. The local distribution of voltage drops on a varistor disk at a fixed local current can be described by a normal distribution, whereas the local distribution of current densities at constant voltage along the whole varistor disk (usual operating case) is given by a log-normal distribution. Deviations from these distributions are caused by strong inhomogeneities. Degradation of ZnO varistors by electric load leads to initially increasing inhomogeneity of the local current and voltage distributions. Proportionality between degradation rate and passed charge rate is also valid in microscopic ranges in the case of small charge rates. For higher current densities and longer loading time saturation phenomena are observed. Mit rasterförmig angeordneten Punktelektroden wird die elektrische Homogenität von ZnO-Varistoren untersucht. Die lokale Verteilung der Spannungsabfälle über einer Varistorscheibe bei gegebenem lokalen Strom läßt sich durch eine Normalverteilung beschreiben, während die lokale Verteilung der Stromdichte bei konstanter Spannung über die gesamte Varistorscheibe (üblicher Betriebsfall) einer logarithmisch-normalen Verteilung entspricht. Abweichungen von diesen Verteilungen sind durch ausgedehnte Probeninhomogenitäten bedingt. Die Alterung der ZnO-Varistoren durch die elektrische Belastung führt zu anfänglich wachsender Inhomogenität in den lokalen Strom- und Spannungsverteilungen. Die Proportionalitität der Schädigungsrate zur durchgeflossenen Ladungsmenge ist für kleine Ladungsmengen auch in submikroskopischen Bereichen gültig. Für größer Stromdichten und längere Belastungszeiten werden Sättigungserscheinungen beobachtet.

The coexistence of two phases at metal—insulator transition leads to peculiarities of the physical properties. This work reports on such peculiarities of the behaviour of the thermoelectric power and resistivity of vanadium oxides. An immediate proof for the coexistence of two phases is given by the behaviour of the X-ray reflexes. Die Koexistenz von zwei Phasen während des Metall—Halbleiter-Phasenüberganges führt zu Besonderheiten in den physikalischen Eigenschaften. In dieser Arbeit wird über derartige Besonderheiten im Verhalten der Thermokraft und des Widerstandes an Vanadiumoxiden berichtet. Einen direkten Beweis für die Koexistenz der zwei Phasen geben die Röntgenuntersuchungen.

Results of experiments concerning the shift of the transition temperature of the high- and low-temperature phase transition in (V0.99Cr0.01)2O3 due to substituting 16O by 18O are presented. Whereas for the low-temperature phase transition there is an increase of transition temperature, a decrease is observed for the high-temperature phase transition. In accordance to previous considerations this can be explained by considering dynamic effects of electron-phonon interaction in the metallic phase. The expected ratio of the shifts of transition temperature agrees nearly quantitatively with experiment. Es werden die Ergebnisse zur Verschiebung der Übergangstemperatur des Hoch- und Tieftemperaturphasenübergangs in (V0,99Cr0,01)2O3 infolge einer Substitution von 16O durch 18O mitgeteilt. Während für den Tieftemperaturphasenübergang ein Anstieg der Übergangstemperatur beobachtet wird, erfolgt ein Abfall für den Hochtemperaturphasenübergang. In Übereinstimmung mit früheren Betrachtungen kann dies durch Berücksichtigung dynamischer Effekte der Elektron-Phonon-Wechselwirkung in der metallischen Phase erklärt werden. Das erwartete Verhältnis der Verschiebung der Übergangstemperatur stimmt nahezu quantitativ mit dem Experiment überein.

Previous investigations of the influence of substituting 16O by 18O on the temperature of the metal–insulator transition in transition-metal oxides have been extended to V6O13, V4O7, and Fe3O4. By means of a new preparation method, which is briefly described, samples with increased content of 18O have been obtained. In all cases an increase of the transition temperature has been observed. This result is discussed with reference to recent theoretical work on the problem.

AbstractThe spin‐disorder resistivity of amorphous ferromagnets is investigated in the temperature regimes 0 ≦ T ≫ TC and T ≫ TC. The resistivity is calculated within the force–force correlation function method up to the second order in the sd‐exchange constant. A simple structural model for a structurally disordered Heisenberg ferromagnet is presented. At lowest temperatures the spin‐disorder resistivity varies as T3/2 for a sufficient high degree of disorder. It is concluded that the experimentally observed T2‐dependence at these temperatures is of non magnetic origin. This dependence can be qualitatively understood if the thermal smearing of the structure factor is taken into account.

In the vanadium oxides V2O3, V3O5, and VO2 oxygen is partially replaced by the stable isotope O18. The concentration of O18 in the oxides is determined by IR spectroscopy. The resulting increase of the temperature Tc of the semiconductor—metal transition, found by the measurement of the electrical resistance, is discussed on the basis of different models of phase transition. The results can be qualitatively explained by a concept, where the transition is caused by electron—electron interaction, which is strongly modified by electron—phonon coupling. In den Vanadinoxiden V2O3, V3O5 und VO2 wird ein Teil des Sauerstoffs durch das stabile Isotop O18 ersetzt. Die Konzentration des O18 in den Oxiden wird durch IR-Spektroskopie bestimmt. Die resultierende Erhöhung der Phasenumwandlungstemperatur Tc des Halbleiter—Metall-Phasenüberganges, die durch Messung des elektrischen Widerstandes ermittelt wurde, wird an Hand verschiedener Modelle für den Phasenübergang diskutiert. Dieses Ergebnis kann qualitativ in einem Modell verstanden werden, in dem der Halbleiter—Metall-Phasenübergang durch die Elektron—Elektron-Wechselwirkungen verursacht wird, die durch die Elektron—Phonon-Kopplung stark modifiziert ist.

physica status solidi (a)Volume 34, Issue 2 p. K199-K202 Short Note Stability of a VO2 thermal switching sample with filament formation K.-H. Müller, K.-H. Müller Zentralinstitut für Festkörperphysik und Werkstofforschung der AdW der DDR, DresdenSearch for more papers by this authorM. Wolf, M. Wolf Zentralinstitut für Festkörperphysik und Werkstofforschung der AdW der DDR, DresdenSearch for more papers by this authorH. Hemschik, H. Hemschik Zentralinstitut für Festkörperphysik und Werkstofforschung der AdW der DDR, DresdenSearch for more papers by this authorK. Hausmann, K. Hausmann Zentralinstitut für Festkörperphysik und Werkstofforschung der AdW der DDR, DresdenSearch for more papers by this author K.-H. Müller, K.-H. Müller Zentralinstitut für Festkörperphysik und Werkstofforschung der AdW der DDR, DresdenSearch for more papers by this authorM. Wolf, M. Wolf Zentralinstitut für Festkörperphysik und Werkstofforschung der AdW der DDR, DresdenSearch for more papers by this authorH. Hemschik, H. Hemschik Zentralinstitut für Festkörperphysik und Werkstofforschung der AdW der DDR, DresdenSearch for more papers by this authorK. Hausmann, K. Hausmann Zentralinstitut für Festkörperphysik und Werkstofforschung der AdW der DDR, DresdenSearch for more papers by this author First published: 16 April 1976 https://doi.org/10.1002/pssa.2210340270AboutPDF ToolsRequest permissionExport citationAdd to favoritesTrack citation ShareShare Give accessShare full text accessShare full-text accessPlease review our Terms and Conditions of Use and check box below to share full-text version of article.I have read and accept the Wiley Online Library Terms and Conditions of UseShareable LinkUse the link below to share a full-text version of this article with your friends and colleagues. Learn more.Copy URL Share a linkShare onFacebookTwitterLinked InRedditWechat Volume34, Issue216 April 1976Pages K199-K202 RelatedInformation