Le present document decrit et illustre de nombreuses inventions ainsi que de nombreux aspects et modes de realisation de celles-ci. Selon un aspect, l'invention concerne une architecture de resonateurs comportant une pluralite de resonateurs microelectromecaniques a vibrations planaires (par exemple, 2 ou 4 resonateurs) couples mecaniquement pour fournir, par exemple, un signal de sortie differentiel. Dans un mode de realisation, l'invention comporte quatre resonateurs a diapason microelectromecaniques de forme commune (par exemple, quatre resonateurs a diapason comportant au moins deux branches de forme rectangulaire ou de forme carree). Chaque resonateur est couple mecaniquement a un autre resonateur de l'architecture. A titre d'exemple, chaque resonateur de l'architecture est couple mecaniquement a un autre resonateur sur un cote ou sur un coin d'un des cotes. De cette maniere, une fois excites, tous les resonateurs vibrent a la meme frequence.

A monolithic integrated CMOS-MEMS three-axis accelerometer has been designed and fabricated. The sensor is a single structure that uses sidewall capacitors of comb fingers to sense acceleration in all three directions. The sensor plus on-chip CMOS circuitry is about 1 mm by 1 mm. in size and is fabricated by a post-CMOS micromachining process that uses interconnect metal layers as etching mask and has only dry-etch steps involved. The sensor structure incorporates both thin-film structures and bulk Si structures to achieve three-axis acceleration sensing without any extra masks, material deposition or wafer bonding. Both behavioral simulaton and finite element simulation were conducted to verify and optimize the sensor design. A noise floor of 50 mug/Hz(1/2) can be achieved.