基本信息
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职业迁徙
个人简介
杨少延,男,博士,研究员,博士生导师。
1973年5月生。1992至1996年于哈尔滨师范大学物理系攻读大学本科,获得物理教育专业理学学士学位;1996至1999年于吉林大学材料科学与工程系攻读硕士,获得凝聚态物理专业理学硕士学位;2002至2005年于中科院半导体所攻读在职博士,获得材料与物理化学专业工学博士学位,博士论文题目为“大失配异质外延超薄中间层柔性衬底研究”,导师为王占国院士和陈涌海研究员。
1999年7月自吉林大学硕士毕业到中科院半导体所参加工作,长期从事半导体材料与器件研究工作。1999至2005年先后担任半导体材料科学重点实验室研究实习员、助理研究员、离子束外延(IBE)研究组组长、副组长,主要从事离子束外延材料制备技术研究;2005年7月晋升为副研究员,2006至2012年担任半导体材料科学重点实验室MOCVD研究组副组长,主要从事大失配异质外延衬底制备技术和宽禁带半导体材料MOCVD生长技术研究;2013年1月晋升为研究员,担任半导体材料科学重点实验室超宽禁带半导体材料研究组组长,主要从事宽禁带和超宽禁带半导体材料、器件及物理研究工作。
1973年5月生。1992至1996年于哈尔滨师范大学物理系攻读大学本科,获得物理教育专业理学学士学位;1996至1999年于吉林大学材料科学与工程系攻读硕士,获得凝聚态物理专业理学硕士学位;2002至2005年于中科院半导体所攻读在职博士,获得材料与物理化学专业工学博士学位,博士论文题目为“大失配异质外延超薄中间层柔性衬底研究”,导师为王占国院士和陈涌海研究员。
1999年7月自吉林大学硕士毕业到中科院半导体所参加工作,长期从事半导体材料与器件研究工作。1999至2005年先后担任半导体材料科学重点实验室研究实习员、助理研究员、离子束外延(IBE)研究组组长、副组长,主要从事离子束外延材料制备技术研究;2005年7月晋升为副研究员,2006至2012年担任半导体材料科学重点实验室MOCVD研究组副组长,主要从事大失配异质外延衬底制备技术和宽禁带半导体材料MOCVD生长技术研究;2013年1月晋升为研究员,担任半导体材料科学重点实验室超宽禁带半导体材料研究组组长,主要从事宽禁带和超宽禁带半导体材料、器件及物理研究工作。
研究兴趣
论文共 112 篇作者统计合作学者相似作者
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时间
引用量
主题
期刊级别
合作者
合作机构
CRYSTENGCOMMno. 8 (2023): 1263-1269
Current Applied Physics (2022): 38-44
Nanomaterialsno. 3007 (2022): 3007
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