基本信息
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职业迁徙
个人简介
研究方向:主要集中在如何把摩尔定律(Moore’s Law)推至7纳米及以下的节点,具体方向包括:3D多栅极MOSFET器件模型和工艺集成(特别是光刻技术),深纳米尺度工艺涨落和电路优化设计,大规模集成电路电子设计自动化(EDA)技术,无掩模(maskless)/极紫外(EUV)光刻技术,微纳光机电系统(optical MEMS/NEMS)。
导师简介
加州大学伯克利分校电子工程和计算机科学(EECS)博士(硕士:麻省理工学院,学士:北大)。攻读博士学位期间,在无掩模(maskless)/极紫外(EUV)光刻技术,微纳光机电系统(optical MEMS/NEMS),非传统MOSFET器件模拟(compact modeling),和纳米工艺等多个半导体领域进行了广泛的研究,并获得UC Berkeley和SRC(Semiconductor Research Cooperation)的数项重要奖励。毕业后,在美国半导体工业界从事深纳米尺度的光刻和工艺技术的研发,理论研究以及产业研发经验都很丰富。
主要科研项目:国家,广东省自然科学基金和深圳基础研究项目。
研究兴趣
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Advanced Etch Technology and Process Integration for Nanopatterning XIII (2024)
Journal of Computational Electronicsno. 1 (2017): 211-216
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