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EUV OPC modeling of dry photoresist system for pitch 32nm BEOL
Jyun-Ming Chen,David Rio, Maxence Delorme,Cyrus E. Tabery,Christoph Hennerkes,Chris Spence,Benjamin Kam, Mohand Brouri,Nader Shamma
Optical and EUV Nanolithography XXXVII (2024)
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Alignment and overlay through opaque metal layers
V. M. Blanco Carballo, E. Canga, C. Jehoul, A. Moussa,A. H. Tamaddon,C. Tabery, G. Gunjala, B. Menchtchikov, V. G. Zacca, S. Lalbahadoersing, A. den Boef, R. Synowicky
METROLOGY, INSPECTION, AND PROCESS CONTROL XXXVII (2023)
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Absolute overlay measurement with voltage contrast edge placement metrology
Moosong Lee,Jinsun Kim, Dohyeon Park,Yeeun Han, Junseong Yoon,Seung Yoon Lee, Chan Hwang,Achim Woessner,Cyrus E. Tabery, Miao Wang,Antonio Corradi,Young-Hoon Song,
Metrology, Inspection, and Process Control XXXVI (2022)
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Statistical Analysis Of The Impact Of 2d Reticle Variability On Wafer Variability In Advanced Euv Nodes Using Large-Scale Monte Carlo Simulations
Adam Lyons,Luke Long, Thomas Wallow,Chris Spence, Ton Kiers, Paul Van Adrichem, Vidya Vaenkatesan, Jiyou Fu,Christoph Hennerkes,Cyrus Tabery
EXTREME ULTRAVIOLET (EUV) LITHOGRAPHY XII (2021)
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